公开(公告)号：CN114277360A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111640300.2

申请日：2021-12-29

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  郭嘉杰 ,  刘自然 ,  徐俊 ,  王慧勇 ,  罗骞

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458

Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

公开(公告)号：CN119245357A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411780098.7

申请日：2024-12-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 彭定强 ,  刘欣 ,  孔倩茵 ,  张南 ,  谢利华

IPC: F27B17/00 ,  F27D3/00

Abstract: 本申请涉及热处理技术领域，具体提供了一种用于热处理设备的传片系统及方法，该系统包括：缓存室；过渡室；控制器，用于控制机械臂将待热处理外延片移动至缓存舟架上或将完成冷却的已热处理外延片移动至片盒上，还用于控制机械臂将待热处理外延片移动至热处理设备内或将已热处理外延片移动至缓存舟架上，还用于在片盒上的所有待热处理外延片均被取出或片盒上放满完成冷却的已热处理外延片时，控制第一开关闸门关闭，然后控制第二开关闸门打开，还用于在完成片盒的更换后，控制第二开关闸门关闭，然后控制第一开关闸门打开；该系统能够在避免热处理设备暴露在非洁净环境中的情况下同时对过渡室进行片盒的取放和对热处理设备进行外延片的上下料。

公开(公告)号：CN116791198A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310824886.0

申请日：2023-07-06

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郭嘉杰 ,  盛飞龙 ,  张南 ,  刘自然 ,  罗骞

IPC: C30B25/16 ,  C23C16/44 ,  C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  C23C16/458

Abstract: 本申请属于清洗碳化硅外延炉的技术领域，公开了一种外延炉清洗方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取外延炉反应室中石墨件在清洗前的碳化硅信息，设置外延炉反应室为真空的清洗环境，调节外延炉反应室中石墨托盘的运动状态为旋转状态，利用氩气和三氟化氯气，基于预设的温度范围和预设的压力范围，结合真空的清洗环境和石墨托盘的旋转状态，对外延炉反应室进行清洗，得到清洗后的碳化硅信息，对比清洗前的碳化硅信息和清洗后的碳化硅信息，确定清洗效果，通过设置真空环境、维持石墨托盘的旋转状态和调节对应的温度及压力，利用氩气和三氟化氯气，对外延炉进行清洗，提高了外延炉清洗的效率。

公开(公告)号：CN115201057A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210564195.7

申请日：2022-05-23

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  王鑫 ,  吴彩庭 ,  刘自然 ,  毛朝斌 ,  罗骞

IPC: G01N7/00 ,  G01N9/36 ,  G01N33/00

Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种气体流场均匀性检测系统及方法，其包括：驱动组件；检测盘，其包括承载台、气压传感器和至少一种气体浓度传感器，气压传感器和气体浓度传感器均设置在承载台上，气压传感器用于采集生成气压信息，气体浓度传感器用于采集生成对应的原料气体的浓度信息；控制器，与气压传感器、气体浓度传感器和驱动组件电性连接，用于控制驱动组件间隙性地驱动承载台旋转预设的第一角度，还用于根据气压传感器在不同位置采集生成的气压信息检测混合气体是否均匀，还用于根据气体浓度传感器在不同位置采集生成的浓度信息检测对应的原料气体是否均匀；该系统能够有效地提高外延生长的膜厚均匀性。

公开(公告)号：CN114464708A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210380144.9

申请日：2022-04-12

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘自然 ,  何嵩 ,  罗骞 ,  张南 ,  郭嘉杰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0745

Abstract: 本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层；在N型单晶硅片的反面形成P型多晶硅层；在N型单晶硅片的正面和反面分别形成掺硼氧化锌层；在N型单晶硅片的正面和反面的掺硼氧化锌层上形成金属电极。本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产成本。