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公开(公告)号：CN119265699B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411789664.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温度补偿系统及方法，该系统包括：第一温度采集组件；第二温度采集组件；压力采集组件；流量采集组件；控制器，用于根据组分气体类型信息和预设转换关系获取各条进气通道的组分气体的自由系数信息，还用于根据进气压力信息、进气流量信息和进气温度信息获取各条进气通道的组分气体的单位时间气体摩尔数信息，还用于根据反应室温度信息、进气温度信息、所有自由系数信息和所有单位时间气体摩尔数信息计算热量总缺口，然后基于热量总缺口调节加热组件的功率；该系统能够有效地避免出现由于通入反应室的工艺气体会带走外延片的热量而导致外延片的温度发生波动或难以达到目标温度的情况。
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公开(公告)号：CN119265699A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411789664.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温度补偿系统及方法，该系统包括：第一温度采集组件；第二温度采集组件；压力采集组件；流量采集组件；控制器，用于根据组分气体类型信息和预设转换关系获取各条进气通道的组分气体的自由系数信息，还用于根据进气压力信息、进气流量信息和进气温度信息获取各条进气通道的组分气体的单位时间气体摩尔数信息，还用于根据反应室温度信息、进气温度信息、所有自由系数信息和所有单位时间气体摩尔数信息计算热量总缺口，然后基于热量总缺口调节加热组件的功率；该系统能够有效地避免出现由于通入反应室的工艺气体会带走外延片的热量而导致外延片的温度发生波动或难以达到目标温度的情况。
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公开(公告)号：CN119041019A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114082729A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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公开(公告)号：CN114060723A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111369721.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延工艺设备用安全保护泄压系统及外延工艺设备，该系统用于调节外延设备反应腔内的气压，所述外延工艺设备用安全保护泄压系统包括:主动泄压管路，与所述反应腔出口连接；被动泄压管路，与所述反应腔出口连接，所述被动泄压管路上设置有爆破阀，所述爆破阀用于在所述反应腔内压力异常且所述主动泄压管路失效时进行泄压；控制器，与所述主动泄压管路电性连接，用于获取反应腔内的压力信息，并根据所述压力信息控制所述主动泄压管路的开关以调节所述反应腔内的气压。通过设计主动泄压管路和被动泄压管路实现反应腔中气压异常时的双重防护,有效保障人员与设备的人身财产安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113913789A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN118758194B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN117174642A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311263317.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延生长设备的晶圆上料方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：在机械手将晶圆移动至反应腔内时，基于位于反应腔外的UWB雷达扫描反应腔，以获取第一雷达扫描信息；根据第一雷达扫描信息分析晶圆的实际位置是否与预设的目标位置重合；若实际位置与目标位置不重合，则根据实际位置和目标位置控制机械手对晶圆的位置进行调整，并在实际位置与目标位置重合时控制机械手放下晶圆；该方法能够有效地避免出现由于只有在机械手无法对晶圆进行正常下料时才能发现晶圆位置偏移或托盘位置偏移而导致产生薄膜不均匀的残次品，造成资源和时间的浪费以及机械手在晶圆下料时抓取错误位置，晶圆损坏的问题。
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公开(公告)号：CN117174626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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公开(公告)号：CN113913789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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