公开(公告)号：CN104916684A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510319284.5

申请日：2015-06-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  杜国同

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7789 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本发明能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。

公开(公告)号：CN102543988B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210052040.1

申请日：2012-03-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  梁红伟 ,  柳阳 ,  杜国同

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED及制备方法。本发明金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。

公开(公告)号：CN103489967A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310399590.5

申请日：2013-09-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈远鹏 ,  夏晓川 ,  柳阳 ,  申人升 ,  梁红伟 ,  杜国同

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以气态含氧物质作为氧源，以含氢的化合物作为辅助反应气体，进而制备氧化镓外延膜。本发明使用MOCVD系统且通过调节生长参数、加入辅助反应物和优化后续处理方法来制备氧化镓外延膜，该方法能够让有机源充分反应，且反应产物可以完全脱离，避免了碳及其相关化合物的再次沉积对氧化镓膜表面造成的污染；经本方法制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

公开(公告)号：CN103469299A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310398997.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  申人升 ,  柳阳 ,  梁红伟 ,  杜国同 ,  胡礼中

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B31/20

Abstract: 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。

公开(公告)号：CN102130107A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010584401.8

申请日：2010-12-13

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学 ,  亚威朗光电(中国)有限公司

Inventor： 杜国同 ,  梁红伟 ,  彭晖 ,  郭文平 ,  闫春辉

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。

公开(公告)号：CN100575546C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810010104.5

申请日：2008-01-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  杜国同 ,  赵涧泽 ,  孙景昌 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p-n结型光电器件。

公开(公告)号：CN120033095A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510170981.2

申请日：2025-02-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马浩然 ,  郭天浩 ,  孙萌 ,  马海涛 ,  梁红伟 ,  张贺秋 ,  夏晓川

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明属于集成电路封装领域，具体涉及一种基于高频热感应的Cu柱凸点直接键合方法及应用，适用于含有Cu柱凸点的芯片封装。本发明是利用高频电磁感应加热技术，使芯片上Cu柱凸点部位感应出涡流并被局部加热互连的。本方法克服现有的Cu柱凸点芯片无法承受整体高温加热封装的难题。本发明的有益效果是：键合工艺简单，不需要等离子体表面活化或额外的纳米化处理工艺；键合表面平整度要求低，由0.3nm左右降至微米级；键合速度快，几十秒内快速完成键合；键合质量高，孔洞等缺陷少，剪切强度可达60MPa以上。

公开(公告)号：CN119275178A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411389306.0

申请日：2024-10-08

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 郭天浩 ,  马浩然 ,  谭维 ,  马海涛 ,  梁红伟 ,  王云鹏 ,  张振中

IPC: H01L21/768 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法，其属于电子封装领域。本方法包括以下步骤：在硅基片上沉积金属Ti、Cu；光刻显影制备阵列图形；电沉积得到铜柱阵列；阳极氧化电化学还原制备Cu纳米线阵列；有机还原剂制备、涂覆及热压键合。本发明可以制备图案化铜纳米线阵列凸点，并结合耐高温光刻胶作为导热介质无需额外填充步骤；可在低温空气环境中实现高质量铜‑铜互连，克服铜互连温度过高和对键合环境的依赖；一定高度的铜纳米线在互连时实现垂直基板方向的压缩，降低了对表面平整度的要求，无需化学机械抛光过程，同时改善了对准偏差造成的互连缺陷。本发明制备工艺简单、成本低，适用于三维封装和超细间距封装用的低温互连技术。

公开(公告)号：CN118259332A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410335645.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  王鹤潼 ,  梁红伟 ,  王德煜 ,  邰家劲 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  高伟

IPC: G01T1/161

Abstract: 本发明提供了一种富含硼10同位素的六方氮化硼单晶中子探测器。其特征在于，使用的单晶尺寸大于0.5cm×0.5cm，厚度在140μm以上，中子捕获以及电荷收集均在一层，无需转换层。由该同位素富集的六方氮化硼单晶制成的中子探测器效率高。将得到的同位素富集的六方氮化硼单晶固定在绝缘衬底上，单晶作为中子探测层，沿单晶的侧端上制备一对Ti/Au电极，简易的中子探测器制备完成。本发明方法制备方法简单，对设备要求低，易于实现工业化。制备的同位素富集的六方氮化硼单晶中子探测器器件，探测效率高，响应快，制造和维护成本低，为实现中子探测器工业化生产提供了技术方案。

公开(公告)号：CN118198176A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410335050.9

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  李欣 ,  梁红伟 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  蔺福光

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本专利涉及核探测技术领域，涉及一种六方氮化硼纳米片α粒子探测器，具体涉及一种商用氮化硼微粉经简单处理后定向堆叠制备独立式定向堆叠的六方氮化硼片层作为α粒子探测器的探测层，并在侧端制备不阻挡辐照与探测层相互作用的横向电极以实现α粒子探测的方法。所制备的探测器具有极低的暗电流，器件性能优异。本发明方法可以简化探测器制作工艺，降低制作成本；探测层厚度可控，能够有效提高探测器的效率。对于六方氮化硼基α粒子探测器件具有重要意义。