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公开(公告)号：CN115902563A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439572.0
申请日：2022-11-17
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的一侧边沿处，二者的三条边对齐；第二直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的另一侧边沿处，二者的三条边对齐，且此边沿与第一直流偏置电压施加层所在边沿相对。本发明设计了一种用于表征处于电荷输运基态下碳化硅材料少子寿命的结构，并提出了一种有效而简便的测试方法，解决了获取工作状态下碳化硅材料少子寿命关键参数的难题，能够填补碳化硅关键电学性能参数空白。
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公开(公告)号：CN107083541A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710261163.9
申请日：2017-04-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供了一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘，属于氧化物半导体材料生长及器件制备领域。实心蛇形管作为加热源和上下表面沉积层的支撑结构；MOCVD加热盘的主体结构为由一根盘旋的实心蛇形管构成的平板式结构，实心蛇形管两末端分别开孔，未连接；MOCVD加热盘的主体平板结构的上下表面分别沉积有上碳化物沉积层和下碳化物沉积层。MOCVD加热盘上的碳化物沉积层较薄且均匀性良好，经过CVD处理的加热盘的加热均匀性和发热效率不受影响，不仅解决了外延工艺中无法在氧气氛围中高温生长的技术难点也避免了沉积层导致发热不均的负面影响。使得MOCVD设备制备高质量氧化物半导体薄膜的能力得到大幅提升。
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公开(公告)号：CN103456603A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102543988A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210052040.1
申请日：2012-03-02
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/64
摘要： 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED。所述金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN108461404B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810532221.1
申请日：2018-05-23
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/443 , H01L29/45
摘要： 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。
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公开(公告)号：CN104894520A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510226430.X
申请日：2015-05-06
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。
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公开(公告)号：CN103561136A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310486919.1
申请日：2013-10-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及生活用品领域，公开了一种带有紫外LED的手机，包括：内置控制软件的通用手机、紫外LED、驱动装置；所述紫外LED集成在通用手机上；所述驱动装置设置在手机电路中，且驱动装置的一端与手机电路电连接，另一端与紫外LED电连接。本发明通过结构、电路和软件的设计将紫外LED集成在通用手机上，通过驱动装置达到紫外LED工作所需要的电伏，并可依据所集成的不同波段的紫外LED灯，实现便携式手机的消毒、验钞、医疗等功能。
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公开(公告)号：CN115911173A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439666.8
申请日：2022-11-17
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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