公开(公告)号：CN110470713B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910596899.0

申请日：2019-07-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张贺秋 ,  刘俊 ,  薛东阳 ,  梁红伟 ,  夏晓川

IPC: G01N27/327 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的葡萄糖传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和栅极金属层；在所述的源电极和漏电极表面及侧面生长保护层；所述的栅金属电极不在源漏金属电极间；在所述的源和漏金属电极间的空栅区域固定化学修饰层；修饰层包括自组装分子膜、金纳米颗粒和葡萄糖氧化酶。本发明利用氮化镓/铝镓氮界面处可产生高浓度高迁移率的二维电子气对表面纵向微小电荷的变化有输出和放大的作用，通过有序排列在自组装分子膜表面的金纳米颗粒，在葡萄糖酶的催化下，葡萄糖会分解成葡萄糖酸和电子，不同浓度的葡萄糖产生的电子不同，源极和漏极的输出电流不同，从而测试葡萄糖的浓度。

公开(公告)号：CN112345615A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011213032.1

申请日：2020-11-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张贺秋 ,  杨勇强 ,  梁红伟 ,  夏晓川

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的氢气传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和Pd/Pt层。本发明利用当氢气吸附在Pd/Pt层上分解为氢原子传递到界面处，氢原子在界面极化吸附以后所产生的电场将引起表面纵向电荷的变化，进而调制异质结界面处二维电子气浓度，改变源漏电极的输出电流，从而测试氢气的浓度。而且本发明具有操作简单，所制备的氢气传感器稳定性好和成本低等优势，所制备的氢气传感器质量好，能够保持良好的性能且该氢气传感器可以在较为宽松的湿度环境中进行测试，不会影响其输出。制备环境条件要求简单，可稳定制备。

公开(公告)号：CN108493292A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810338112.6

申请日：2018-04-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  夏晓川 ,  张贺秋

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极。本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。

公开(公告)号：CN115911173B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202211439666.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  徐瑞良 ,  张振中 ,  柳阳 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  张克雄 ,  马浩然 ,  梁红伟

IPC: H10F30/29 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。

公开(公告)号：CN118866716A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410874294.4

申请日：2024-07-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马浩然 ,  郭天浩 ,  刘佳伟 ,  马海涛 ,  梁红伟 ,  王云鹏 ,  张贺秋

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种基于原位AAO模板的铜纳米线阵列封装凸点制备工艺，属于集成电路封装领域。主要步骤包括在硅基底上制备二氧化硅介质层；光刻刻蚀二氧化硅；沉积Al薄膜；将Al薄膜阳极氧化为纳米多孔氧化铝模板；电镀填充铜纳米线；铜纳米线阵列基板对齐进行热压或烧结键合。本发明可在硅等衬底上制备出原位垂直的阵列铜纳米线凸点，纳米线径在10‑300nm范围内可控，且致密度高、工艺简单，无需使用复杂的精密光刻和平整化设备，有效解决了铜凸点键合对高温、高压及高平整度过于依赖的问题，并大幅降低了铜凸点封装技术的工业成本和产业化难度，在集成电路封装领域具有极高的应用价值。

公开(公告)号：CN118588820A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410763951.8

申请日：2024-06-14

Applicant: 元旭半导体科技(无锡)有限公司 ,  大连理工大学

Inventor： 张贺秋 ,  王子坤 ,  邓群雄 ,  韩奎 ,  郭文平 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  张克雄

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种垂直式HEMT‑LED集成器件的制备方法，该制备方法中，首先在衬底的正面、反面制备HEMT外延层、LED外延层，然后在HEMT外延层制备源极、漏极、栅极，在LED外延层制备N电极、P电极，源极与P电极电连接，形成共阳极结构，或，漏极与N电极连接，形成共阴极结构，从而获得一种垂直式HEMT‑LED集成器件，该集成器件中，HEMT与LED分别位于衬底的正面、反面，有效降低了LED发光对HEMT的干扰。

公开(公告)号：CN115902563A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211439572.0

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  王鸿运 ,  张贺秋 ,  柳阳 ,  张赫之 ,  张克雄 ,  马浩然 ,  张振中 ,  梁红伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的一侧边沿处，二者的三条边对齐；第二直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的另一侧边沿处，二者的三条边对齐，且此边沿与第一直流偏置电压施加层所在边沿相对。本发明设计了一种用于表征处于电荷输运基态下碳化硅材料少子寿命的结构，并提出了一种有效而简便的测试方法，解决了获取工作状态下碳化硅材料少子寿命关键参数的难题，能够填补碳化硅关键电学性能参数空白。

公开(公告)号：CN120033095A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510170981.2

申请日：2025-02-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马浩然 ,  郭天浩 ,  孙萌 ,  马海涛 ,  梁红伟 ,  张贺秋 ,  夏晓川

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明属于集成电路封装领域，具体涉及一种基于高频热感应的Cu柱凸点直接键合方法及应用，适用于含有Cu柱凸点的芯片封装。本发明是利用高频电磁感应加热技术，使芯片上Cu柱凸点部位感应出涡流并被局部加热互连的。本方法克服现有的Cu柱凸点芯片无法承受整体高温加热封装的难题。本发明的有益效果是：键合工艺简单，不需要等离子体表面活化或额外的纳米化处理工艺；键合表面平整度要求低，由0.3nm左右降至微米级；键合速度快，几十秒内快速完成键合；键合质量高，孔洞等缺陷少，剪切强度可达60MPa以上。

公开(公告)号：CN118016677A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410188559.5

申请日：2024-02-20

Applicant: 中国科学院高能物理研究所 ,  大连理工大学

Inventor： 梁晓华 ,  张贺秋 ,  崔兴柱 ,  梁红伟 ,  郭森

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/8258 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明公开了一种空间极端温度下耐辐照X射线探测系统及其制备方法。本发明以空间X射线探测为应用背景，开展具有耐辐照耐极端温度的SiC/GaN集成探测系统的研制。通过本发明的研究，建立SiC‑PIN器件的X射线探测模型，制备出基于SiC单晶的高灵敏半导体探测器；建立GaN‑HEMT对前端信号的放大模型，制备出具有大跨导低噪声特性的GaN‑HEMT电子器件；通过SiC‑PIN与GaN‑HEMT的集成工艺，制备出SiC‑PIN/GaN‑HEMT集成器件；开发出适配于集成器件的模拟读出电子学，进而搭建出灵敏度高、响应速度快、能量分辨好、能量线性范围宽以及本底噪声低的SiC/GaN集成X射线探测系统。

公开(公告)号：CN108461404B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201810532221.1

申请日：2018-05-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  梁红伟 ,  张贺秋 ,  柳阳

IPC: H01L21/443 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。