公开(公告)号：CN115911173B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202211439666.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  徐瑞良 ,  张振中 ,  柳阳 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  张克雄 ,  马浩然 ,  梁红伟

IPC: H10F30/29 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。

公开(公告)号：CN116895711A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310929886.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  韩中元 ,  夏晓川 ,  徐瑞良 ,  王德煜

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开一种利用皮秒激光器减薄的4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器自下而上包括肖特基接触电极、n型外延层、N型缓冲层、N型衬底、N型欧姆接触电极。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器的衬底经过皮秒激光器高效减薄，并以未减薄的衬底作为整体的支撑，更有利于粒子穿透，对于低能粒子的能量分辨和粒子鉴别能力优异，可用于核辐射探测领域对更大范围能量的粒子进行探测与甄别。

公开(公告)号：CN115911173A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211439666.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  徐瑞良 ,  张振中 ,  柳阳 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  张克雄 ,  马浩然 ,  梁红伟

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。