公开(公告)号：CN118259332A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410335645.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  王鹤潼 ,  梁红伟 ,  王德煜 ,  邰家劲 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  高伟

IPC: G01T1/161

Abstract: 本发明提供了一种富含硼10同位素的六方氮化硼单晶中子探测器。其特征在于，使用的单晶尺寸大于0.5cm×0.5cm，厚度在140μm以上，中子捕获以及电荷收集均在一层，无需转换层。由该同位素富集的六方氮化硼单晶制成的中子探测器效率高。将得到的同位素富集的六方氮化硼单晶固定在绝缘衬底上，单晶作为中子探测层，沿单晶的侧端上制备一对Ti/Au电极，简易的中子探测器制备完成。本发明方法制备方法简单，对设备要求低，易于实现工业化。制备的同位素富集的六方氮化硼单晶中子探测器器件，探测效率高，响应快，制造和维护成本低，为实现中子探测器工业化生产提供了技术方案。

公开(公告)号：CN119846690A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411983065.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 大连理工大学 ,  吉林大学

Inventor： 梁红伟 ,  李佳欣 ,  王德煜 ,  殷红 ,  张克雄

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器及其制备方法。一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器，包括陶瓷衬底、欧姆接触下电极、石英、刻蚀区、氮化硼纳米片和欧姆接触上电极；陶瓷衬底表面形状为矩形或正方形；所述的欧姆接触下电极位于陶瓷衬底上表面；所述的石英位于欧姆接触下电极上表面；所述的刻蚀区为石英需刻蚀掉的区域；所述的氮化硼纳米片位于刻蚀区内部；所述的欧姆接触上电极位于石英及氮化硼纳米片的上表面。本发明设计了一种氮化硼纳米片堆叠器件结构，并提出了一种有效、简便且低成本的工艺制造技术，解决了氮化硼中子探测器的制备难题，实现了较大面积氮化硼中子探测器件的研制。

公开(公告)号：CN118210012A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410335431.7

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  邰家劲 ,  梁红伟 ,  王德煜 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  高伟 ,  王鹤潼

IPC: G01T1/24 ,  C01B21/064

Abstract: 一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器，由大尺寸六方氮化硼体单晶组成，所述六方氮化硼体单晶的横向面积大于1cm×1cm，厚度大于100μm，既是中子转换层也是载流子收集层，无需额外使用转换层，就可以直接俘获中子，并在层中产生载流子，起到直接探测中子的效果；此外，采用侧端沟槽型横向电极，使得产生的载流子能够快速的在六方氮化硼(002)平面内进行传输，可实现载流子的有效收集。本发明所制作的半导体中子探测器体积小、重量轻、能量分辨率高、探测效率高，可应用于核反应过程监测、核能安全勘探、医疗器械、无损检测和探测、深空探测以及先进电子设备的内部结构探测领域。

公开(公告)号：CN116895711A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310929886.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  韩中元 ,  夏晓川 ,  徐瑞良 ,  王德煜

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开一种利用皮秒激光器减薄的4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器自下而上包括肖特基接触电极、n型外延层、N型缓冲层、N型衬底、N型欧姆接触电极。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器的衬底经过皮秒激光器高效减薄，并以未减薄的衬底作为整体的支撑，更有利于粒子穿透，对于低能粒子的能量分辨和粒子鉴别能力优异，可用于核辐射探测领域对更大范围能量的粒子进行探测与甄别。

公开(公告)号：CN115799347A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211459165.6

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  王德煜 ,  马浩然 ,  柳阳 ,  张克雄 ,  张振中 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  夏晓川

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，肖特基接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的正表面、正面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。背面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，欧姆接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的背表面、背面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。本发明设计了一种新型三维碳化硅器件结构，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了三维碳化硅器件的制备难题，实现新型三维碳化硅器件的研制。