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公开(公告)号：CN119275178A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411389306.0
申请日：2024-10-08
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法，其属于电子封装领域。本方法包括以下步骤：在硅基片上沉积金属Ti、Cu；光刻显影制备阵列图形；电沉积得到铜柱阵列；阳极氧化电化学还原制备Cu纳米线阵列；有机还原剂制备、涂覆及热压键合。本发明可以制备图案化铜纳米线阵列凸点，并结合耐高温光刻胶作为导热介质无需额外填充步骤；可在低温空气环境中实现高质量铜‑铜互连，克服铜互连温度过高和对键合环境的依赖；一定高度的铜纳米线在互连时实现垂直基板方向的压缩，降低了对表面平整度的要求，无需化学机械抛光过程，同时改善了对准偏差造成的互连缺陷。本发明制备工艺简单、成本低，适用于三维封装和超细间距封装用的低温互连技术。
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公开(公告)号：CN115911173A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439666.8
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN113514434B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110441540.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于GaN基HEMT驱动LED发光的生物物质检测方法，在AlGaN/GaNHEMT和GaN基LED集成阵列结构的AlGaN/GaN HEMT的敏感区域进行生物识别物固化形成AlGaN/GaN HEMT生物传感器和GaN基LED集成阵列结构，施加5V‑10V的工作电压，AlGaN/GaN HEMT生物传感器驱动GaN基LED发光。本发明的检测方法具有高通量、高密度集成、并行快速检测特性。由于采用生物传感器驱动GaN基LED发光，生物传感器上固化的生物识别物质不需要携带荧光物质，简化了生物传感器固化生物识别物质的制备过程。在光信号采集过程中不需要提供额外的光源照射，简化了光信号采集系统。
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公开(公告)号：CN118218595A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410331029.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: B22F5/00 , H01L23/488 , B22F1/17 , B22F1/102 , B22F1/145 , C23C18/18 , C23C18/44 , B22F3/02 , B22F1/052 , B22F1/0545 , B22F1/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B23K35/30 , B23K35/02 , B23K35/40 , B23K101/40
Abstract: 一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法，先对铜粉进行表面活化处理，再在其表面沉积银层，然后用有机包覆层对银层保护，得到‑表面有机包覆层厚度可控的铜@银@有机包覆层结构，再将干燥后的颗粒在10～100MPa的压力下压制成低温钎料片。本发明的钎料片保留了纳米颗粒的低温烧结性，满足了宽禁带半导体功率器件的高温服役、低温封装要求；采用多尺度复合结构颗粒混合压制成钎料片，克服了目前焊膏烧结孔隙率过高的问题，且省去了焊膏烧结前的固化操作，缩短了烧结时间并提高了封装效率；同时颗粒表面的有机包裹层厚度可控，有效避免了内层金属颗粒的氧化及焊接孔洞缺陷的出现，在大功率器件封装领域具有非常好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115799347A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211459165.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，肖特基接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的正表面、正面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。背面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，欧姆接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的背表面、背面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。本发明设计了一种新型三维碳化硅器件结构，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了三维碳化硅器件的制备难题，实现新型三维碳化硅器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514434A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110441540.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于GaN基HEMT驱动LED发光的生物物质检测方法，在AlGaN/GaNHEMT和GaN基LED集成阵列结构的AlGaN/GaN HEMT的敏感区域进行生物识别物固化形成AlGaN/GaN HEMT生物传感器和GaN基LED集成阵列结构，施加5V‑10V的工作电压，AlGaN/GaN HEMT生物传感器驱动GaN基LED发光。本发明的检测方法具有高通量、高密度集成、并行快速检测特性。由于采用生物传感器驱动GaN基LED发光，生物传感器上固化的生物识别物质不需要携带荧光物质，简化了生物传感器固化生物识别物质的制备过程。在光信号采集过程中不需要提供额外的光源照射，简化了光信号采集系统。
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公开(公告)号：CN115911173B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211439666.8
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10F30/29 , H10F77/30 , H10F77/20 , H10F77/1226 , H10F71/00
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN115902563A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211439572.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的一侧边沿处，二者的三条边对齐；第二直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的另一侧边沿处，二者的三条边对齐，且此边沿与第一直流偏置电压施加层所在边沿相对。本发明设计了一种用于表征处于电荷输运基态下碳化硅材料少子寿命的结构，并提出了一种有效而简便的测试方法，解决了获取工作状态下碳化硅材料少子寿命关键参数的难题，能够填补碳化硅关键电学性能参数空白。
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公开(公告)号：CN218767329U
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202223087578.4
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01T7/00
Abstract: 本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压电源、多道分析仪、计算机、数字信号示波器和连接信号线缆。本实用新型设计的一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，确定了碳化硅探测器的极化效应程度，给出碳化硅探测器稳定工作的预极化条件，同时为碳化硅探测器缺陷研究提供参考。
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公开(公告)号：CN218779008U
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202223054704.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准的对准圆孔。本实用新型的用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，通过抽屉式多层可抽动的掩模版设计，和不同图案掩模的嵌套组合，有效解决了实验用碳化硅样品，多层电极尺寸对准精度不高，频繁更换样品引入沾污，多个分立掩模成本过高，不易保存等问题。本掩模夹具制备节约成本，可用于实验用多层复杂的电极结构制备。
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