公开(公告)号：CN112993156B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110154048.8

申请日：2021-02-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 唐灵芝 ,  王晨 ,  黄阳 ,  边继明 ,  杨一鸣

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层，底电极为透明柔性ITO/PEN，介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz，顶电极为Ag，保护层为Au。步骤：首先，在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，100～120℃下退火处理30～50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行，对设备要求简单，成本低，可用于柔性阻变阵列集成；器件开关次数高达1010次，弯曲次数高达104次，具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。

公开(公告)号：CN109755391B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201811616730.9

申请日：2018-12-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王晨 ,  樊宏波 ,  黄阳 ,  郝亮 ,  边继明 ,  杨一鸣

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。

公开(公告)号：CN105576020B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201610109041.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  孙仲豪 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  杜国同 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i‑GaN层、栅介质层和钝化层，i‑GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。

公开(公告)号：CN104312320B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410649235.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘洪珠 ,  边继明 ,  张志坤

IPC: C09D131/04 ,  C09D5/32 ,  C08F218/08 ,  C08F214/24 ,  C08F218/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06

Abstract: 本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4‑三甲基‑1,3‑戊二醇单异丁酸酯(醇酯十二)和占氟聚合物水分散液重量5.0％～60.0％的二水合乙酸锌。本发明复合薄膜在具有高透明度的同时还具有优异的紫外线吸收性能。本发明还公开了一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜制备方法，该方法简单易行，能实现复合薄膜的工业化生产。本发明提供的产品在建材、织物、木器、塑料、器件封装和光伏电池背板等领域，具有广泛用的应用前景。

公开(公告)号：CN103035782B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310000893.5

申请日：2013-01-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘维峰 ,  边继明 ,  申人升 ,  朱慧超

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反应物，再加入抑制纳米结构与发射极中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构与发射极完全被氧化硅钝化层包覆。本发明在较低的温度下即可完成氧化硅钝化层的制备，避免了高温对原型器件的破坏；反应源中方便加入掺杂剂，可调节钝化层折射率。

公开(公告)号：CN103346073B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310293452.9

申请日：2013-07-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  毕凯峰 ,  刘艳红 ,  刘维峰 ,  秦福文

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。

公开(公告)号：CN104892822A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510317184.9

申请日：2015-06-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘洪珠 ,  边继明

IPC: C08F218/08 ,  C08F214/24 ,  C08F218/00 ,  C08F220/18 ,  C08F222/22 ,  C08F2/28 ,  C08F2/30

Abstract: 本发明提供一种抗菌型水性氟树脂及其制备方法，所述抗菌型水性氟树脂由重量配比如下的各组分通过乳液聚合方式制备而成：含氟单体5～15份；羧酸乙烯酯15～30份；叔碳酸乙烯酯5～15份；丙烯酸酯5～15份；双季氨盐表面活性剂和/或非离子乳化剂0.5～3.0份；水溶性引发剂0.1～0.5份；去离子水50～60份。本发明抗菌型水性氟树脂中抗菌剂分布均匀，抗菌效果佳，抗菌效果持久。采用本发明抗菌型水性氟树脂制备的乳胶薄膜对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的杀灭作用可达99.90％以上，具有突出的抗菌性能，在涂料涂层抗菌防腐等方面具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN101255550A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810010104.5

申请日：2008-01-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  杜国同 ,  赵涧泽 ,  孙景昌 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p－n结型光电器件。

公开(公告)号：CN115528180A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211360140.0

申请日：2022-11-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘京 ,  王敏焕 ,  边继明 ,  史彦涛

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种生物友好的碳量子点修饰电子传输层诱导钙钛矿下表面结晶的方法。本发明采用操作简单有效的方式，低温条件下，在SnO2中引入一种碳材料，这种复合ETL更有利于电荷传输，且能钝化SnO2表面和内部的缺陷，得到传输性能更好、界面复合损失更小的ETL。这对电子传输层和钙钛矿下表面的优化、提高PSCs的PCE和稳定性具有一定的推动作用。

公开(公告)号：CN111682079B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202010483488.3

申请日：2020-06-01

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 邱继军 ,  骆英民 ,  边继明

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 一种中/远红外透明导电材料体系及其制备导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域，为高价态金属(三价以上)掺杂硫属半导体薄膜及其多源共蒸发制备方法。本发明以常用中/远红外透明材料为衬底，以无机硫属化合物半导体和单质高价态金属作为原料，单质硫族元素作为阴离子补偿材料，采用多源共蒸发技术在较低衬底温度下，制备高价态金属掺杂硫属半导体薄膜。所制备的掺杂硫属半导体薄膜不仅具有良好的化学稳定性，在可见光‑近红外‑中红外波长区间具有高的透过率，而且还具高电导率、高载流子迁移率等一系列优异的导电特性。本发明制备技术成熟、工艺简单且易于操作、成本低廉、可重复性好，易于大面积成膜，适合大规模产业化生产。