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公开(公告)号：CN116322238B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202310234683.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种卤化物钙钛矿微纳阵列结构及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。采用表面活性剂辅助液相结晶法，无需任何微纳加工工艺即可直接制备高质量单晶卤化物钙钛矿微纳阵列结构。所制备的钙钛矿微纳阵列结构由数十至数百根水平排布的微米线或纳米线构成，其长度可在数十至数百微米间进行可控调节、宽度可在数十纳米至数十微米间进行可控调节、厚度可在数十纳米至数百纳米间进行可控调节。本发明完全通过原子自组装方式实现阵列，无需任何模板、光刻、电子束刻蚀等微纳加工技术；成本低廉、可控性高，在卤化物钙钛矿阵列光电传感器、发光二极管与太阳能电池等半导体光电和光伏器件中具有广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118271458A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410355041.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于cpFP的特异性识别Aβ42寡聚体的探针，可以在溶液中或者细胞内特异性识别Aβ42寡聚体，同时与Aβ42单体、Aβ42纤维的结合力较低，中展现出良好的特异性。以循环置换的红色荧光蛋白以及与Aβ42寡聚体特异性反应的亲和肽为基础，通过将亲和肽序列修饰在循环置换荧光蛋白的N、C端得到所述探针。探针搭载原核表达载体构成重组质粒以表达蛋白融合，通过扫描融合蛋白与Aβ42寡聚体反应产生的荧光强度的变化实现对Aβ42寡聚体的检测。也可以搭载真核表达质粒转染至细胞中表达融合蛋白，通过细胞荧光强度的变化检测细胞中Aβ42寡聚体。所述探针与Aβ42寡聚体的主要相似物质Aβ42单体、Aβ42纤维反应时，探针荧光强度均无明显变化。探针具有使用简便、灵敏度高、成本低。
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公开(公告)号：CN109755388A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616669.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。
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公开(公告)号：CN112750919B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011630615.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法在FTO玻璃基板表面制备出高质量的CsPbBr3单晶纳米线，其中CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板呈一定角度生长。之后，在充满氮气的手套箱中，将上述制备的CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板一起放入含有C4H9NH3I的玻璃瓶中置于加热台上进行加热。利用气相离子交换，通过控制温度和时间，制备出具有浓度梯度的全无机CsPbBrnI3‑n纳米线异质结。本发明能够制得具有浓度梯度的CsPbBrnI3‑n全无机卤素钙钛矿纳米线异质结，这种通过气相离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN114719295A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210477147.4
申请日：2022-05-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及炉灶设备技术领域，公开一种烟气源头控制协同水汽回收的炉灶设备。本发明通过设置调控机构，首先可通过控制器开启电磁阀门和一号风机，点火即可进行燃烧，同时使用一氧化碳传感器对顶部外壳内部的一氧化碳含量进行检测，自动调节燃料与空气比例，避免燃料的不完全燃烧，进而避免燃烧时产生过多碳颗粒；通过设置吸湿机构，首先可启动二号风机，通过固定板对水蒸气进行抽吸，并将水蒸气通入凝结箱的内部，使得烟气与水蒸气相互混合，烟气内的颗粒物与雾滴发生碰撞结合，使得颗粒物发生凝并沉降，即可极大程度地对烟气中的颗粒进行沉降去除，大大降低烟气对环境的污染以及对使用者带来的危害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224235A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110464306.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法，双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为导电玻璃FTO，即掺氟的SnO2薄膜；阻变层材料为(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3，阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得；顶电极为Ag。步骤：首先，在FTO导电玻璃衬底的导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，并涂抹均匀后进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，在90～110℃下退火处理20～40分钟，在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺，一步成膜，对设备要求简单，成本比较低，可用于阻变阵列集成；双向选通器可以实现双向超低阈值电压(小于0.2V)，选通性能开关比大于104，可实现对于RRAM器件开关电压更广的匹配范围与选通能力。
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公开(公告)号：CN112853486A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011633295.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
Abstract: 一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4，制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体，横向尺寸为几百微米到几毫米，质量良好，可通过控制加热温度，可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度，并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法，此方法可在短时间内生长出大量的单晶，生长速度大大增加；并且生长过程不涉及强酸、低温，操作安全、便捷，对二维钙钛矿单晶的大批量生长具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111139518A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911337577.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
Abstract: 一种空气稳定的全无机混合卤素钙钛矿纳米线的制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法制备长径比较大，且晶体质量良好的CsPbBr3单晶纳米线；然后利用液相离子交换方法，将表面含有CsPbBr3单晶纳米线的玻璃基板浸入含有相应浓度卤素离子源(如PbCl2和PbI2)的溶液中，在一定温度条件下，反应得到不同混合卤素组分的钙钛矿单晶纳米线(CsPbBrxCl3-x和CsPbBrxI3-x)。本发明建立了一种简易、便捷的全无机混合卤素钙钛矿纳米线的方法，制得的CsPbBr3纳米线具有较大的长径比和较高的晶体质量，且直径普遍小于1μm；经过离子交换得到的CsPbBrxCl3-x和CsPbBrxI3-x能够保持良好的形貌。
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公开(公告)号：CN116322238A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310234683.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种卤化物钙钛矿微纳阵列结构及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。采用表面活性剂辅助液相结晶法，无需任何微纳加工工艺即可直接制备高质量单晶卤化物钙钛矿微纳阵列结构。所制备的钙钛矿微纳阵列结构由数十至数百根水平排布的微米线或纳米线构成，其长度可在数十至数百微米间进行可控调节、宽度可在数十纳米至数十微米间进行可控调节、厚度可在数十纳米至数百纳米间进行可控调节。本发明完全通过原子自组装方式实现阵列，无需任何模板、光刻、电子束刻蚀等微纳加工技术；成本低廉、可控性高，在卤化物钙钛矿阵列光电传感器、发光二极管与太阳能电池等半导体光电和光伏器件中具有广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112853486B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011633295.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
Abstract: 一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4，制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体，横向尺寸为几百微米到几毫米，质量良好，可通过控制加热温度，可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度，并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法，此方法可在短时间内生长出大量的单晶，生长速度大大增加；并且生长过程不涉及强酸、低温，操作安全、便捷，对二维钙钛矿单晶的大批量生长具有重要意义。
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