公开(公告)号：CN116322238B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202310234683.6

申请日：2023-03-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 安美琦 ,  王恒山 ,  唐华意 ,  包亚男 ,  李静 ,  李建良 ,  杨一鸣

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K85/50 ,  H10K30/10 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供一种卤化物钙钛矿微纳阵列结构及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。采用表面活性剂辅助液相结晶法，无需任何微纳加工工艺即可直接制备高质量单晶卤化物钙钛矿微纳阵列结构。所制备的钙钛矿微纳阵列结构由数十至数百根水平排布的微米线或纳米线构成，其长度可在数十至数百微米间进行可控调节、宽度可在数十纳米至数十微米间进行可控调节、厚度可在数十纳米至数百纳米间进行可控调节。本发明完全通过原子自组装方式实现阵列，无需任何模板、光刻、电子束刻蚀等微纳加工技术；成本低廉、可控性高，在卤化物钙钛矿阵列光电传感器、发光二极管与太阳能电池等半导体光电和光伏器件中具有广泛的应用潜力。

公开(公告)号：CN116322238A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310234683.6

申请日：2023-03-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 安美琦 ,  王恒山 ,  唐华意 ,  包亚男 ,  李静 ,  李建良 ,  杨一鸣

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K85/50 ,  H10K30/10 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供一种卤化物钙钛矿微纳阵列结构及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。采用表面活性剂辅助液相结晶法，无需任何微纳加工工艺即可直接制备高质量单晶卤化物钙钛矿微纳阵列结构。所制备的钙钛矿微纳阵列结构由数十至数百根水平排布的微米线或纳米线构成，其长度可在数十至数百微米间进行可控调节、宽度可在数十纳米至数十微米间进行可控调节、厚度可在数十纳米至数百纳米间进行可控调节。本发明完全通过原子自组装方式实现阵列，无需任何模板、光刻、电子束刻蚀等微纳加工技术；成本低廉、可控性高，在卤化物钙钛矿阵列光电传感器、发光二极管与太阳能电池等半导体光电和光伏器件中具有广泛的应用潜力。