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公开(公告)号：CN109755388B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811616669.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。
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公开(公告)号：CN109755391B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811616730.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。
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公开(公告)号：CN109755388A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616669.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。
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公开(公告)号：CN109755391A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616730.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。
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