公开(公告)号：CN103346073A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310293452.9

申请日：2013-07-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  毕凯峰 ,  刘艳红 ,  刘维峰 ,  秦福文

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。

公开(公告)号：CN104312320B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410649235.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘洪珠 ,  边继明 ,  张志坤

IPC: C09D131/04 ,  C09D5/32 ,  C08F218/08 ,  C08F214/24 ,  C08F218/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06

Abstract: 本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4‑三甲基‑1,3‑戊二醇单异丁酸酯(醇酯十二)和占氟聚合物水分散液重量5.0％～60.0％的二水合乙酸锌。本发明复合薄膜在具有高透明度的同时还具有优异的紫外线吸收性能。本发明还公开了一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜制备方法，该方法简单易行，能实现复合薄膜的工业化生产。本发明提供的产品在建材、织物、木器、塑料、器件封装和光伏电池背板等领域，具有广泛用的应用前景。

公开(公告)号：CN103346073B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310293452.9

申请日：2013-07-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  毕凯峰 ,  刘艳红 ,  刘维峰 ,  秦福文

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。

公开(公告)号：CN104312320A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410649235.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘洪珠 ,  边继明 ,  张志坤

IPC: C09D131/04 ,  C09D5/32 ,  C08F218/08 ,  C08F214/24 ,  C08F218/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06

CPC classification number: C09D131/04 ,  C08F218/08 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2296 ,  C08K2201/011 ,  C09D5/08 ,  C09D5/18 ,  C09D5/32 ,  C08F214/245 ,  C08F2218/245 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/06

Abstract: 本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯(醇酯十二)和占氟聚合物水分散液重量5.0％～60.0％的二水合乙酸锌。本发明复合薄膜在具有高透明度的同时还具有优异的紫外线吸收性能。本发明还公开了一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜制备方法，该方法简单易行，能实现复合薄膜的工业化生产。本发明提供的产品在建材、织物、木器、塑料、器件封装和光伏电池背板等领域，具有广泛用的应用前景。

公开(公告)号：CN103107205A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310018911.2

申请日：2013-01-18

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  秦福文 ,  刘维峰 ,  骆英民

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上，采用射频磁控溅射方法，依次生长绝缘层（如：SiO2、Ga2O3、ZnMgO、VO2或MgO）和半导体层ZnO薄膜而制得ZnO基MOS器件。通过控制射频磁控溅射功率、腔室真空度、衬底温度和后续器件退火工艺，可以实现对制得的绝缘层、半导体ZnO薄膜晶体质量的有效控制，并进而实现对ZnO基MOS器件电学性能的控制。该法工艺简单易行，成本低廉。