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公开(公告)号：CN118053750A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410201209.8
申请日：2024-02-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/3065
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，一种改进的刻蚀碳化硅半导体表面处理工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC样品进行清洗，(2)沉积SiO2掩膜，(3)刻蚀SiC形成沟槽，(4)对刻蚀后SiC样品进行湿法清洗，(5)对步骤4样品进行牺牲氧化工艺，(6)对SiC表面进行处理。本发明工艺，是在传统的牺牲氧化工艺之后，增加一道表面处理工艺,该表面处理工艺为含氢气氛下高温退火或低能氢等离子体处理或低能氮氢混合等离子体处理。与牺牲氧化工艺相比，该工艺处理后的SiC表面更为平滑、平整，表面粗糙度更低。含氢气氛围下处理SiC表面使表面缺陷进一步去除或钝化，进而抑制界面缺陷的产生，从而有效提升SiCUMOSFET器件的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN117907714A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410039721.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻纳变温测试方法，包括以下步骤：(1)连接液氮装置与变温测试探针台，(2)连接阻抗分析仪与变温测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境(4)忆阻器件初始态阻纳谱的测试，(5)忆阻器件开启态阻纳谱的测试，(6)忆阻器件高阻态阻纳谱的测试，(7)忆阻器件低阻态阻纳谱的测试。本发明可以快速获得忆阻器件不同温度下的阻纳谱，为忆阻系统微观等效电路模型的研究提供了有效的测试方法，可丰富忆阻器件微观物理机理的研究，统一忆阻系统基础理论的研究，加快忆阻器的商业化落地。
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公开(公告)号：CN113223940A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488696.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiC MOSFET器件性能的方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)对SiC晶片进行氮氧氧化，(3)对步骤2处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiCMOSFET的制作。本发明通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN107086175B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710252866.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1364946A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01101424.5
申请日：2001-01-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/511 , C23C16/513
Abstract: 一种宽运行气压范围无离子损伤的ECR微波等离子体增强低温外延系统与技术,系统由腔耦合型ECR微波等离子体源、真空系统、配气系统、检测与分析及计算机数据采集与控制系统组成;配置有带差分抽气结构的RHEED,可实现原子尺度控制生长的原位实时监测。是适于单质和多元素化合物薄膜,复杂层状结构,超薄层微结构材料生长的高精密低温外延系统与技术;还能满足等离子体与生长表面的相互作用等相关基础研究的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113223940B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110488696.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiC MOSFET器件性能的方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)对SiC晶片进行氮氧氧化，(3)对步骤2处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiCMOSFET的制作。本发明通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN117940006A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114182.9
申请日：2024-01-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善HfOx基阻变存储器性能的原位氮掺杂界面结构及制备方法，其中制备方法，包括以下步骤：(1)清洗Pt/Ti/SiO2/Si衬底，(2)在下电极Pt上采用磁控溅射沉积HfOx薄膜，(3)在步骤2沉积的HfOx薄膜上继续沉积氮掺杂HfOx薄膜，(4)把步骤3完成界面氮掺杂薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在活泼金属/HfOx界面进行N掺杂，能有效地调节界面氧化层处氧空位浓度分布，抑制导电细丝的随机断裂，改善了器件的均一性，降低了限制电流，减小操作电压，提高了器件的可靠性，且工艺流程简单，可以为阻变存储器的商业应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN113889394A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111124843.9
申请日：2021-09-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于半导体表面清洗及钝化技术领域，一种SiC半导体干法表面处理设备及方法，其中所述处理设备，包括双ECR等离子体供应装置、真空反应室、装样室、残余气体分析仪、配气装置及配气系统。所述处理方法，包括以下步骤：(1)对装样室进行抽真空，(2)对真空反应室进行抽真空，(3)对SiC晶片表面进行清洗，(4)对SiC晶片表面进行钝化处理，(5)SiC晶片表面处理完成。本发明采用双ECR等离子体源作为等离子体发生装置，通过改变两个ECR等离子体源的中轴线夹角来调整等离子体覆盖面积，满足6英寸SiC晶片的干法清洗需求，改善了单一ECR等离子体源产生的等离子体均匀区尺寸小、等离子体密度较低的缺点。
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公开(公告)号：CN113035691A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110221974.2
申请日：2021-02-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)SiC晶片氧化，(3)对步骤2制备的样品在含氧元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(5)对步骤4处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(6)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过分两步在界面中分别引入氧元素和氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO2薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN109003895B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810796522.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)电子回旋共振微波一步处理或分步处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过电子回旋共振混合等离子体放电产生大量N、H、Cl高反应活性物质，其中N、H可钝化界面及近界面氧化层陷阱，Cl可钝化栅氧化层中的可动离子，通过二元N‑Cl或三元H‑N‑Cl混合等离子体的协同作用可以显著并同时提高SiC MOS器件阈值电压在低温(80～250K)和高温(350～550K)的稳定性。
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