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公开(公告)号：CN107086175B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710252866.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108831823B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810576913.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造技术领域，提供了一种柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法，以聚酰亚胺为衬底，在聚酰亚胺衬底的一侧表面上，从内到外依次制备第一InxGa1‑xN缓冲层，石墨烯层，一维纳米导电材料层，第二InxGa1‑xN缓冲层，InxGa1‑xN外延层，其中第一InxGa1‑xN缓冲层、第二InxGa1‑xN缓冲层和InxGa1‑xN外延层均使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积方法低温制备，而石墨烯层和一维纳米导电材料层均使用旋涂方法制备，所制备的高质量InxGa1‑xN薄膜可用于制备氮化铟镓基太阳能电池、薄膜晶体管等柔性透明器件，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN108831823A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810576913.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造技术领域，提供了一种柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法，以聚酰亚胺为衬底，在聚酰亚胺衬底的一侧表面上，从内到外依次制备第一InxGa1-xN缓冲层，石墨烯层，一维纳米导电材料层，第二InxGa1-xN缓冲层，InxGa1-xN外延层，其中第一InxGa1-xN缓冲层、第二InxGa1-xN缓冲层和InxGa1-xN外延层均使用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积方法低温制备，而石墨烯层和一维纳米导电材料层均使用旋涂方法制备，所制备的高质量InxGa1-xN薄膜可用于制备氮化铟镓基太阳能电池、薄膜晶体管等柔性透明器件，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN107083535A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710247785.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/165 , C23C16/26 , C23C16/303 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明属于氮化镓基薄膜和器件制造技术领域，提供了石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法。以图形化金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备催化金属层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积方法，依次进行氢等离子体清洗催化金属层、制备石墨烯层、制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和制备AlxGayIn1‑x‑yN外延层。可在廉价的非单晶金属衬底上制备出低位错密度、高晶体质量的氮化镓基薄膜。所制备的氮化镓基薄膜可直接作为氮化镓基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107083540B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710252532.8
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR‑PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR‑PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR‑PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1‑x‑yN薄膜可用于制备InGaN太阳能电池、AlGaN紫外探测器和GaN薄膜晶体管等柔性器件。
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公开(公告)号：CN107083540A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710252532.8
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/26 , C23C16/303 , C23C16/345 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR‑PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR‑PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR‑PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1‑x‑yN薄膜可用于制备InGaN太阳能电池、AlGaN紫外探测器和GaN薄膜晶体管等柔性器件。
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公开(公告)号：CN102185583A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110062224.1
申请日：2011-03-16
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种AlN/GaN/自持金刚石结构SAW（声表面波器件）器件及制备方法。所说的多层膜结构SAW器件是在自持金刚石厚膜衬底和AlN薄膜之间有高C轴择优取向的纳米GaN中间层。这种AlN/GaN/自持金刚石多层膜结构SAW器件及制备方法，是在自持金刚石厚膜衬底表面首先沉积高C轴择优取向的纳米GaN中间层，然后在纳米GaN中间层上沉积高C轴择优取向的AlN薄膜。本发明有益的效果是：采取高C轴择优取向的纳米GaN薄膜作为自持金刚石和AlN薄膜之间的中间层，可得到平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN薄膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、低损耗、大功率SAW器件等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN107086175A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710252866.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备MoxW1‑xS2层、制备AlyGazIn1‑y‑zN缓冲层和制备AlyGazIn1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1688102A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510046263.7
申请日：2005-04-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域，涉及到无机非金属功能材料在电子器件中的应用。其特征在于采用无衬底自由纯净金刚石厚膜，作为一种体材料应用于声表面波滤波器中，作为其衬底材料；应用自由站立金刚石厚膜的成核面，经过表面机械及光学研磨抛光处理，作为沉积叉指换能器和压电薄膜的表面，采用传统的半导体器件制备工艺制备出氧化锌/金刚石层状结构的声表面波器件。本发明的效果和益处是不仅利用了金刚石高弹性系数、高声速的性能，可明显提高器件的响应频率，而且充分利用金刚石最高热导率的优势，使SAW器件具有高功率耐久性的特点。提出利用表面平整光滑的金刚石膜成核面作为沉积压电薄膜表面的方法，解决了金刚石膜生长面难以加工的技术难题。
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