-
公开(公告)号：CN114605439A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210177401.9
申请日：2022-02-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于配合物制备及应用领域，公开了一种八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物及其制备方法和应用。在氩气环境中，在0℃‑25℃温度范围内将Mg(n‑Bu)2滴加至β‑酮亚胺配体溶液中，0℃‑55℃温度范围内反应3h，得到八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物。由此方法制备而成的八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物应用包括在催化丙交酯开环聚合中的应用。在溶液及本体条件下，不需要助催化剂参与即可催化丙交酯聚合制备聚丙交酯。催化剂制备方法简单，结构新颖，催化活性高。反应得到的聚合物分子量分布窄，分子量可控。
-
公开(公告)号：CN109003895B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810796522.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)电子回旋共振微波一步处理或分步处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过电子回旋共振混合等离子体放电产生大量N、H、Cl高反应活性物质，其中N、H可钝化界面及近界面氧化层陷阱，Cl可钝化栅氧化层中的可动离子，通过二元N‑Cl或三元H‑N‑Cl混合等离子体的协同作用可以显著并同时提高SiC MOS器件阈值电压在低温(80～250K)和高温(350～550K)的稳定性。
-
公开(公告)号：CN109270423B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811163919.7
申请日：2018-10-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于碳化硅半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法，包括以下步骤：(1)将经过ECR氮等离子体钝化处理的样品放入探针台，抽真空，降温，(2)对施加电场应力前的样品进行C‑V曲线测量，(3)对施加电场应力后的样品进行C‑V曲线测量，(4)计算施加电场应力前后C‑V曲线的漂移量，(5)评价ECR氮等离子体钝化工艺对器件稳定性的影响。本发明在低温(80～300K)测量时排除了可动电荷和固定电荷对SiC MOSTET器件稳定性的影响，可以探究钝化工艺对氧化层陷阱和界面陷阱单独的钝化效果，计算出样品的氧化层陷阱电荷数和界面陷阱电荷数，可用来评估SiC MOSFET器件的低温稳定性。
-
公开(公告)号：CN109103078A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811163899.3
申请日：2018-10-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)氮氢混合等离子体钝化处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入以形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过氮氢混合等离子体中N-H的协同作用有效的钝化氧化层陷阱和界面陷阱，其中H元素可以在N钝化的基础上近一步钝化氧化层陷阱和界面陷阱，并将多余的氮产生的深能级陷阱移向禁带下半部分或禁带之外，减少了陷阱对MOS器件稳定性的影响，提高了SiC MOSFET器件在低温(80～300K)和高温(300～500K)下的稳定性。
-
公开(公告)号：CN109003895A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810796522.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)电子回旋共振微波一步处理或分步处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过电子回旋共振混合等离子体放电产生大量N、H、Cl高反应活性物质，其中N、H可钝化界面及近界面氧化层陷阱，Cl可钝化栅氧化层中的可动离子，通过二元N-Cl或三元H-N-Cl混合等离子体的协同作用可以显著并同时提高SiC MOS器件阈值电压在低温(80～250K)和高温(350～550K)的稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571140B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910850905.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，(5)等离子体辅助氧化后处理结束，(6)进行离子注入后退火激活杂质，(7)完成SiC MOSFET的制作。利用ECR微波等离子体对SiC/SiO2界面进行含O等离子体气氛下的低温氧化后处理，而ECR微波等离子体具有高密度、高活性和低损伤的特点，能提高氧化效率，降低界面损伤，有效抑制界面态和近界面氧化物陷阱的产生，从而提升SiC/SiO2的界面质量，最终整体提升SiC MOS器件电学特性。
-
公开(公告)号：CN112967944A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130884.2
申请日：2021-01-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法，其中，测试方法包括以下步骤：(1)SiCMOSCAP/MOSFET器件的测试准备工作，(2)固有氧化物陷阱量测试，(3)采用急速冷却法测试SiC MOSCAP/MOSFET中的激活氧化物陷阱量。分离方法包括以下步骤：(1)固有氧化物陷阱量与界面陷阱量的分离，(2)激活氧化物陷阱量与激活界面陷阱量的分离，(3)SiC MOS器件的开启电压稳定性评价。本发明在通过在低温测试或急速冷却等方法，将陷阱的解陷速率大大降低，从而捕捉到激活陷阱的电学信号，进而提高计算评估及分离陷阱量的准确性。
-
公开(公告)号：CN112967944B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110130884.2
申请日：2021-01-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于SiC半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法，其中，测试方法包括以下步骤：(1)SiCMOSCAP/MOSFET器件的测试准备工作，(2)固有氧化物陷阱量测试，(3)采用急速冷却法测试SiC MOSCAP/MOSFET中的激活氧化物陷阱量。分离方法包括以下步骤：(1)固有氧化物陷阱量与界面陷阱量的分离，(2)激活氧化物陷阱量与激活界面陷阱量的分离，(3)SiC MOS器件的开启电压稳定性评价。本发明在通过在低温测试或急速冷却等方法，将陷阱的解陷速率大大降低，从而捕捉到激活陷阱的电学信号，进而提高计算评估及分离陷阱量的准确性。
-
公开(公告)号：CN114605439B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210177401.9
申请日：2022-02-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于配合物制备及应用领域，公开了一种八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物及其制备方法和应用。在氩气环境中，在0℃‑25℃温度范围内将Mg(n‑Bu)2滴加至β‑酮亚胺配体溶液中，0℃‑55℃温度范围内反应3h，得到八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物。由此方法制备而成的八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物应用包括在催化丙交酯开环聚合中的应用。在溶液及本体条件下，不需要助催化剂参与即可催化丙交酯聚合制备聚丙交酯。催化剂制备方法简单，结构新颖，催化活性高。反应得到的聚合物分子量分布窄，分子量可控。
-
公开(公告)号：CN110571140A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910850905.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，(5)等离子体辅助氧化后处理结束，(6)进行离子注入后退火激活杂质，(7)完成SiC MOSFET的制作。利用ECR微波等离子体对SiC/SiO2界面进行含O等离子体气氛下的低温氧化后处理，而ECR微波等离子体具有高密度、高活性和低损伤的特点，能提高氧化效率，降低界面损伤，有效抑制界面态和近界面氧化物陷阱的产生，从而提升SiC/SiO2的界面质量，最终整体提升SiC MOS器件电学特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.024 seconds)
