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公开(公告)号：CN113088912A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110364458.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺流程简单，薄膜沉积速度快，可以为阻变存储器的大规模推广应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN119012903A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411080036.5
申请日：2024-08-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善界面氮掺杂HfOx基阻变存储器性能的ECR氢等离子体处理工艺，包括以下步骤：(1)清洗Pt/Ti/SiO2/Si衬底，(2)在下电极Pt上采用磁控溅射沉积HfOx薄膜，(3)在步骤2沉积的HfOx薄膜上继续沉积氮掺杂HfOx薄膜，(4)对步骤3完成界面氮掺杂薄膜进行ECR氢等离子体处理，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在活泼金属/HfOx界面原位N掺杂基础上，对掺杂后阻变层进行ECR氢等离子体处理，能有效地调控氧空位的形成和消失，抑制导电细丝的随机断裂，改善了器件的均一性，提高了器件的可靠性，为阻变存储器的商业应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN117940006A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114182.9
申请日：2024-01-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善HfOx基阻变存储器性能的原位氮掺杂界面结构及制备方法，其中制备方法，包括以下步骤：(1)清洗Pt/Ti/SiO2/Si衬底，(2)在下电极Pt上采用磁控溅射沉积HfOx薄膜，(3)在步骤2沉积的HfOx薄膜上继续沉积氮掺杂HfOx薄膜，(4)把步骤3完成界面氮掺杂薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在活泼金属/HfOx界面进行N掺杂，能有效地调节界面氧化层处氧空位浓度分布，抑制导电细丝的随机断裂，改善了器件的均一性，降低了限制电流，减小操作电压，提高了器件的可靠性，且工艺流程简单，可以为阻变存储器的商业应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN113088912B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110364458.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺流程简单，薄膜沉积速度快，可以为阻变存储器的大规模推广应用提供技术支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112485529B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011343909.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，其中，测试方法，包括以下步骤：(1)自制测量夹具，(2)连接阻抗分析仪与测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境，(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试，(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法，包括以下步骤：(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型，(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数，(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱，为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段，可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。
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公开(公告)号：CN112701220A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011145821.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。
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公开(公告)号：CN112485529A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011343909.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，其中，测试方法，包括以下步骤：(1)自制测量夹具，(2)连接阻抗分析仪与测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境，(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试，(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法，包括以下步骤：(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型，(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数，(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱，为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段，可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。
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公开(公告)号：CN117907714A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410039721.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻纳变温测试方法，包括以下步骤：(1)连接液氮装置与变温测试探针台，(2)连接阻抗分析仪与变温测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境(4)忆阻器件初始态阻纳谱的测试，(5)忆阻器件开启态阻纳谱的测试，(6)忆阻器件高阻态阻纳谱的测试，(7)忆阻器件低阻态阻纳谱的测试。本发明可以快速获得忆阻器件不同温度下的阻纳谱，为忆阻系统微观等效电路模型的研究提供了有效的测试方法，可丰富忆阻器件微观物理机理的研究，统一忆阻系统基础理论的研究，加快忆阻器的商业化落地。
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公开(公告)号：CN112701220B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011145821.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。
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