公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1806332A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016270.6

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03F3/34 ,  H03F3/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03F3/343 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/372

Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。

公开(公告)号：CN1757099A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN1510755A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。

公开(公告)号：CN1829830B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480021852.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 艾德麦普株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  佐野纯央

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。

公开(公告)号：CN101599538A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910203880.1

申请日：2004-09-24

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L23/52 ,  C23C14/34

Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。本发明还涉及一种显示装置。

公开(公告)号：CN101556948A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN100454499C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200480015408.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 大见忠弘 ,  东京威力科创股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中与Si(100)结晶面相比仍不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

公开(公告)号：CN101273671A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200580051671.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。在利用稀有气体进行的基板的等离子处理中，使用2种以上的不同的稀有气体，稀有气体之一采用廉价的氩气，其以外的气体采用与电子的碰撞截面积大于氩气的氪、氙的一种或两种，能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。

公开(公告)号：CN1864112A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029178.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  宇野富雄 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  中村修 ,  松本笃咨 ,  永濑正明 ,  池田信一

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D16/208 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87507

Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10％的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。