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公开(公告)号：CN111868884B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201980001810.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 川本聪
IPC: H01L21/205 , C04B35/569 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/01 , C23C16/42 , H01L21/683
Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。
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公开(公告)号：CN111145920B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201911021631.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 河原史朋
IPC: G21C3/06 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明提供包含SiC纤维并具有高导热率的管状体及其制造方法。提供形成为管状并由SiC材料制成的第一SiC层、沿第一SiC层的外周在一个方向上形成螺旋的第一凹槽、由沿第一凹槽缠绕的多根SiC纤维制成的第一SiC纤维层、由在不同于所述一个方向的方向上缠绕在所述第一SiC纤维层的外侧的多根SiC纤维制成的第二SiC纤维层，和由SiC材料制成并覆盖第一SiC层、第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的第二SiC层。第一SiC纤维层和第二SiC纤维层在第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的相交处彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN111868884A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980001810.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 川本聪
IPC: H01L21/205 , C04B35/569 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/01 , C23C16/42 , H01L21/683
Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。
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公开(公告)号：CN111627846A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911344813.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 川本聪
IPC: H01L21/673 , B65D1/00 , B65D43/02
Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)。
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公开(公告)号：CN111868885A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980002150.7
申请日：2019-08-28
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 川本聪
IPC: H01L21/205 , C23C16/01 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 提供一种SiC膜单体构造体，SiC膜单体构造体的功能面不受膜厚的影响，且能够通过增加膜厚来实现强度的提高。其为通过气相沉积型的成膜法层积SiC层而构成的膜单体构造体，其特征在于，以SiC膜单体构造体(10)中的成为功能面(12)的第一SiC层(20)为基准层积SiC层。另外，在位于任意的特定部位的正反两面的功能面(12)和非功能面(14)中，功能面(12)的平滑度高于非功能面(14)的平滑度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111145920A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911021631.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 河原史朋
IPC: G21C3/06 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明提供包含SiC纤维并具有高导热率的管状体及其制造方法。提供形成为管状并由SiC材料制成的第一SiC层、沿第一SiC层的外周在一个方向上形成螺旋的第一凹槽、由沿第一凹槽缠绕的多根SiC纤维制成的第一SiC纤维层、由在不同于所述一个方向的方向上缠绕在所述第一SiC纤维层的外侧的多根SiC纤维制成的第二SiC纤维层，和由SiC材料制成并覆盖第一SiC层、第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的第二SiC层。第一SiC纤维层和第二SiC纤维层在第一SiC纤维层和第二SiC纤维层的相交处彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN111627846B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201911344813.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 川本聪
IPC: H01L21/673 , B65D1/00 , B65D43/02
Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)。
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公开(公告)号：CN112400218A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980002694.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 艾德麦普株式会社
Inventor： 中村将基
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够简单且低成本地进行成膜构造体的再生的方法以及通过该方法制造的再生成膜构造体。成膜构造体的再生方法的特征在于，包含：在与受到损伤的活性面10a位于相反侧的非活性面10b层叠新SiC层16的新成膜层层叠工序；对活性面10a进行加工，得到聚焦环10的活性面加工工序。
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公开(公告)号：CN1829830B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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公开(公告)号：CN1829830A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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