公开(公告)号：CN1829830B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480021852.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 艾德麦普株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  佐野纯央

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。

公开(公告)号：CN1829830A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021852.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 艾德麦普株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  佐野纯央

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。