公开(公告)号：CN111627846A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201911344813.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/673 ,  B65D1/00 ,  B65D43/02

Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)。

公开(公告)号：CN111627846B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201911344813.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/673 ,  B65D1/00 ,  B65D43/02

Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)。

公开(公告)号：CN111868884B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201980001810.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/205 ,  C04B35/569 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。

公开(公告)号：CN111868884A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980001810.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/205 ,  C04B35/569 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。

公开(公告)号：CN111868885B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980002150.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种SiC膜单体结构体，SiC膜单体结构体的功能面不受膜厚的影响，且能够通过增加膜厚来实现强度的提高。其为通过气相沉积型的成膜法层积SiC层而构成的膜单体结构体，其特征在于，以SiC膜单体结构体(10)中的成为功能面(12)的第一SiC层(20)为基准层积SiC层。另外，在位于任意的特定部位的正反两面的功能面(12)和非功能面(14)中，功能面(12)的平滑度高于非功能面(14)的平滑度。

公开(公告)号：CN111868885A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980002150.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种SiC膜单体构造体，SiC膜单体构造体的功能面不受膜厚的影响，且能够通过增加膜厚来实现强度的提高。其为通过气相沉积型的成膜法层积SiC层而构成的膜单体构造体，其特征在于，以SiC膜单体构造体(10)中的成为功能面(12)的第一SiC层(20)为基准层积SiC层。另外，在位于任意的特定部位的正反两面的功能面(12)和非功能面(14)中，功能面(12)的平滑度高于非功能面(14)的平滑度。