公开(公告)号：CN112400218A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980002694.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 中村将基

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种能够简单且低成本地进行成膜构造体的再生的方法以及通过该方法制造的再生成膜构造体。成膜构造体的再生方法的特征在于，包含：在与受到损伤的活性面10a位于相反侧的非活性面10b层叠新SiC层16的新成膜层层叠工序；对活性面10a进行加工，得到聚焦环10的活性面加工工序。

公开(公告)号：CN112400218B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN201980002694.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 中村将基

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种能够简单且低成本地进行成膜构造体的再生的方法以及通过该方法制造的再生成膜构造体。成膜构造体的再生方法的特征在于，包含：在与受到损伤的活性面10a位于相反侧的非活性面10b层叠新SiC层16的新成膜层层叠工序；对活性面10a进行加工，得到聚焦环10的活性面加工工序。