公开(公告)号：CN1806331A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016261.7

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03H19/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66787 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。

公开(公告)号：CN1806319A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016271.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045

Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。

公开(公告)号：CN1806332A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016270.6

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03F3/34 ,  H03F3/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03F3/343 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/372

Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。

公开(公告)号：CN1806385A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016313.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/19 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/785 ,  H03F1/26 ,  H03F2200/372 ,  H03G1/0029 ,  H03G1/007

Abstract: 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面、侧壁面和顶面。使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。

公开(公告)号：CN1806333A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016314.5

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03D7/14 ,  H04B1/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0033 ,  H03D2200/0047

Abstract: 利用CMOS晶体管(800)配置混频电路，CMOS晶体管包括p沟道MOS晶体管(840A)和n沟道MOS晶体管(840B)，每个晶体管包括具有至少两个晶面的半导体衬底(810A，810)，并且还包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅绝缘层(820A)，其中沿栅绝缘层形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由分别在所述至少两个晶面上形成的沟道的各个沟道宽度的总和表示。这种配置能够降低由于晶体管元件的电气特性变化引起的晶体管元件中出现的1/f的噪声、输出信号中出现的DC偏置、以及由于沟道长度调制效应引起的信号畸变。

公开(公告)号：CN1806330A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016259.X

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03G11/00 ,  H03K5/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H03G1/0029 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03G1/0023 ,  H03G7/00 ,  H03K5/08

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路用于配置限幅电路。以这种方式，限幅电路可表现出更大的增益。

公开(公告)号：CN1802749A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480016071.5

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03D7/14 ,  H04B1/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置直接转换的频率转换电路和接收电路。以这种方式，可降低直接转换接收的频率转换电路中I和Q信号的误差。

公开(公告)号：CN101567389B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567388A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100521115C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。