公开(公告)号：CN111295132B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201880071187.0

申请日：2018-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  李宁 ,  李克涛 ,  D·萨达纳 ,  R·虞

IPC: A61B5/00

Abstract: 描述了用于使用探针和探针控制器来实现光遗传学治疗的技术方案。探针控制器控制探针以执行如下方法，该方法包括由探针的光源来发射光波以与组织中的一个或多个细胞中的对应化学物质相互作用。该探针能够嵌入该组织中。该方法还包括通过探针的传感器采集与对应化学物质相互作用的光波的光谱。该方法还包括由探针将光谱发送给分析系统。该方法还包括由探针从分析系统接收用于光源的经调整的参数，并且由探针的控制器根据所接收的经调整的参数来调整光源的设置以发射不同的光波来与对应的化学物质相互作用。

公开(公告)号：CN111279467A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880070106.5

申请日：2018-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  李允锡 ,  J·德索萨 ,  D·萨达纳

IPC: H01L21/822

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。

公开(公告)号：CN111149222A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062094.1

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供了通过形成可再充电电池堆来提供形成高容量和高性能可再充电电池的方法，该可再充电电池堆包括剥落材料结构，该剥落材料结构包括附接到应力源材料上的剥落的阴极材料。剥落的阴极材料可包括不含聚合物粘合剂的单晶或多晶阴极材料。压力源材料用作可再充电电池堆的阴极集电器。

公开(公告)号：CN111095649A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060291.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·P·德苏扎 ,  李允锡 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/04

Abstract: 提供了一种全固态锂基薄膜电池。全固态锂基薄膜电池包括电池材料堆，该电池材料堆从下至上包括阳极侧电极、阳极区域、氧化铝界面层、固态电解质层、阴极层、以及阴极侧电极层。通过首先形成电池堆的阳极侧，然后形成阴极侧，来形成全固态锂基薄膜电池堆。包括位于阳极区域和固态电解质层之间的氧化铝界面层的全固态锂基薄膜电池均具有改善的性能、高容量和高可靠性。

公开(公告)号：CN102804392A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080025506.8

申请日：2010-06-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·德·索扎 ,  H·豪威尔 ,  D·因斯 ,  金志焕 ,  D·萨达纳

IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/068 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种具有衬底的半导体，所述衬底掺杂有衬底掺杂。在所述衬底的前侧有晶体半导体层。该晶体半导体层具有层掺杂。所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。在另选实施方式中，层掺杂具有新颖的分布。在其它另选实施方式中，衬底具有位于该衬底的前侧和后侧每一个上的晶体半导体层。所述晶体半导体层中的每一个都具有各自的层掺杂，而且这些层掺杂中的每一个都在各自小于100埃厚的过渡区内变化到衬底掺杂。在本发明的还有其它实施方式中，非晶硅层位于晶体半导体层的与衬底相对的一侧上。该非晶硅层具有非晶掺杂，使得在掺杂晶体半导体层与非晶层之间形成隧道结。在低于700摄氏度下制造这些结构使得结构可以有窄的过渡区。

公开(公告)号：CN110476292B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201880022855.0

申请日：2018-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  D·萨达纳 ,  J·P·德索萨

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/64

Abstract: 提供一种固态锂基电池，其中在充电/再充电循环期间锂岛(即，团块)的形成减少或甚至消除。通过在锂基固态电解质层和固态锂基电池的顶部电极之间形成锂成核增强衬垫，可以提供锂岛(即，团块)的减少或消除。

公开(公告)号：CN114730793A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080080387.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  S·哈特 ,  P·古曼 ,  S·比德尔 ,  李宁

IPC: H01L27/18

Abstract: 提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。

公开(公告)号：CN111213246A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880067071.X

申请日：2018-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·德苏扎 ,  李宁 ,  姚瑶 ,  D·萨达纳 ,  李允锡

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体器件，其使用氧化锌的n型层、由窄带隙材料形成的p型层来形成。窄带隙材料使用3A族元素和5A族元素。在n型层和p型层之间形成结，该结可作为在室温具有上限的温度范围内具有整流特性的异质结二极管操作。

公开(公告)号：CN110476292A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022855.0

申请日：2018-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  D·萨达纳 ,  J·P·德索萨

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/64

Abstract: 提供一种固态锂基电池，其中在充电/再充电循环期间锂岛(即，团块)的形成减少或甚至消除。通过在锂基固态电解质层和固态锂基电池的顶部电极之间形成锂成核增强衬垫，可以提供锂岛(即，团块)的减少或消除。

公开(公告)号：CN102741980B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201180008430.2

申请日：2011-02-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·贝德尔 ,  金志焕 ,  D·因斯 ,  D·萨达纳 ,  K·弗吉尔 ,  J·维奇康蒂

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。