维护装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111801778B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN201980016718.0

    申请日:2019-06-12

    Abstract: 维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸,且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性,其中,处理容器能够分离成第一部件和第二部件,且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定,或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。

    等离子体处理方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111653466A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010467289.3

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法,使用一个等离子体处理装置,执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括:在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤;和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中,驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器,驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中,至少使多个第2加热器的驱动停止。

    真空处理装置和维护装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110808202A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911006282.5

    申请日:2018-02-13

    Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95),该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。

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