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公开(公告)号:CN1540738A
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN200410034165.7
申请日:2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置,使聚焦环的冷却效果得到极大的提高,同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号:CN1451175A
公开(公告)日:2003-10-22
申请号:CN01815034.9
申请日:2001-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中,更进一步,使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中,通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向,可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。
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公开(公告)号:CN1275218A
公开(公告)日:2000-11-29
申请号:CN99801434.6
申请日:1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
Abstract: 对于使用孔板的流量控制装置,可不必拆解配管而通过检测上游压力判断孔板是否堵塞,可使流量控制装置的寿命延长、安全性得到提高。具体地说就是,在上游压力P1保持为下游压力P2的约2倍以上、以QC=KP1(K:常数)进行下游流量QC的计算、利用该计算流量QC与设定流量QS二者的差信号QY对控制阀CV的开闭进行控制的流量控制装置FCS中,其堵塞检测装置由:储存有孔板2无堵塞的条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL而测定的上游压力P1的基准压力衰减数据Y(t)的存储装置M,在孔板2的实际条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL以对上游压力P1的压力衰减数据P(t)进行测定的压力检测器14,对压力衰减数据P(t)与基准压力衰减数据Y(t)二者进行对比运算的中央运算处理装置CPU,以及当压力衰减数据P(t)偏离基准压力衰减数据Y(t)达到既定程度以上时报知堵塞的报警电路46等构成。
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公开(公告)号:CN111801778B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN201980016718.0
申请日:2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸,且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性,其中,处理容器能够分离成第一部件和第二部件,且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定,或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。
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公开(公告)号:CN109427532B
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201810971767.7
申请日:2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种具有制冷剂用的流路的部件,其包括:形成有上述流路的基座;和设置在上述流路内的能够升降可能或旋转的突起状部件。由此,不进行设计变更,就能够进行用于实现基片温度的均匀性的修正。
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公开(公告)号:CN111653466A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010467289.3
申请日:2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法,使用一个等离子体处理装置,执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括:在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤;和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中,驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器,驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中,至少使多个第2加热器的驱动停止。
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公开(公告)号:CN110808202A
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201911006282.5
申请日:2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95),该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
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公开(公告)号:CN102341760A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN200980157836.X
申请日:2009-11-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
IPC: G05D7/06 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y10T137/0396
Abstract: 本发明提供一种流体控制装置,能够减少成本,并且能够实现空间的减少。流体控制装置(1)具有流体控制部(2)和流体导入部(3)。流体导入部(3)被分成三部分,包括:配置在入口侧且分别由2×N/2个开闭阀(23)构成的第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6);由4×M个开闭阀(23)构成且配置在第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6)和流体控制部(2)之间的流体控制部侧阻断开放部(7)。
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公开(公告)号:CN101231943A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200810005545.6
申请日:2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,其具有:可以设置成有真空气氛的处理容器;与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极;在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极;向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部;输出第一高频的第一高频电源;把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部;把来自所述第一高频电源的所述第一高频,从所述第一供电部分出,以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部,所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号:CN1156738C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN00801645.3
申请日:2000-07-27
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 饭田精一 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在利用节流孔的压力式流量控制装置上,一面进行流体的流量控制,一面简便地检测节流孔的堵塞的方法。即在将上游侧压力Pi保持在下游侧压力P2的约2倍以上,按QC=KP1(K为常数)计算下游侧流量QS,根据该计算流量QC与设定流量Qs的差信号Qy对控制阀CV进行开闭控制的流量控制装置FCS中,由另外设置的检定回路或流量设定回路向控制阀CV输出具有检定振幅VO的检定用信号ΔQS,测定应答该控制阀CV的开闭而产生的上游侧压力P1的脉动压力ΔP1的压力振幅V,当该压力振幅V小于极限振幅Vt时,报知节流孔堵塞的方法。将检定用信号ΔQS叠加在正常设定流量信号QSO上向控制阀CV输出时,能一面根据正常设定流量信号QSO进行流量控制一面检知流量异常。
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