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公开(公告)号：CN102314085B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110025180.5
申请日：2011-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/091
Abstract: 一种图案化集成电路构件的光阻材料及方法，其使用紫外光以及极紫外光微影法。此方法包括提供基板；于基板上形成第一材料层；于第一材料层上形成第二材料层，第二材料层具有发光剂；以及曝光第二材料层的一或多个部分。
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公开(公告)号：CN102147568A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010246690.0
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种光刻图案化方法及双重图案化方法，所述光刻图案化方法包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括多个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第一阻剂图案，以露出位于第一阻剂图案下方的基底。本发明可改善制造产能及产品品质，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN108231547B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201710367867.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 提供改质基板的方法与材料组成。图案化基板以包含多个结构。结构包含第一子集，其具有一或多个实质上钝性的表面。在多种实施例中，沉积底漆材料于基板上、结构上、以及实质上钝性的表面上。举例来说，沉积的底漆材料至少键合至实质上钝性的表面。此外，沉积的底漆材料提供改质的基板表面。在沉积底漆材料后，旋转涂布层状物于改质的基板表面上，其中旋转涂布的层状物实质上平坦。
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公开(公告)号：CN105929634B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610081815.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改进的抗蚀剂材料和一种图案化工件(诸如集成电路工件)的方法，该方法提高了对环境污染物的抵抗力。在一个示例性实施例中，该方法包括接收工件和对该工件施加含有保护剂的抗蚀剂材料，所述保护剂分布在整个抗蚀剂材料中。对工件执行热工艺，以使保护剂在抗蚀剂材料的上部区域集中。将抗蚀剂材料在光刻工艺中曝光并且使曝光的抗蚀剂材料显影以在抗蚀剂材料内限定图案。在这样的一些实施例中，保护剂被选择为减小环境污染的影响而不影响所述抗蚀剂材料的酸/碱比率。在一些实施例中，保护剂包括疏水性官能团。
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公开(公告)号：CN108227409A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710565649.1
申请日：2017-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 光刻图案化的方法包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光敏剂包含共振环，且共振环包含氮与至少一双键。方法亦包括对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。方法亦包括显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876251A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610785776.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。
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公开(公告)号：CN105929634A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610081815.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改进的抗蚀剂材料和一种图案化工件(诸如集成电路工件)的方法，该方法提高了对环境污染物的抵抗力。在一个示例性实施例中，该方法包括接收工件和对该工件施加含有保护剂的抗蚀剂材料，所述保护剂分布在整个抗蚀剂材料中。对工件执行热工艺，以使保护剂在抗蚀剂材料的上部区域集中。将抗蚀剂材料在光刻工艺中曝光并且使曝光的抗蚀剂材料显影以在抗蚀剂材料内限定图案。在这样的一些实施例中，保护剂被选择为减小环境污染的影响而不影响所述抗蚀剂材料的酸/碱比率。在一些实施例中，保护剂包括疏水性官能团。
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公开(公告)号：CN102117014A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010276294.2
申请日：2010-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/42 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/40 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/30604 , H01L21/31133
Abstract: 本发明揭露一种用于图案化半导体组件的光阻及半导体组件的制造方法，其中所述用于图案化半导体组件的光阻包括聚合物以及光酸产生剂，其中此聚合物具有一骨架，此骨架为可断裂的，且此光酸产生剂不与此聚合物键结。其次，一种半导体组件的制造方法，其包括提供基材。材料层形成于前述基材上。光阻材料形成于前述材料层上。此光阻材料具有聚合物及光酸产生剂，且此聚合物包括一骨架。然后，前述光阻材料是经图案化而形成图案化光阻层。以前述图案化光阻层为掩膜，对前述材料层进行一制程。之后，对前述图案化光阻层经处理而使前述聚合物的骨架断裂。随后，移除前述图案化光阻层。
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公开(公告)号：CN102034754A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010002062.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/31133
Abstract: 一种集成电路装置的制造方法及其光致抗蚀剂去除组成物，该制造方法包括：提供一基底；形成一第一材料层于该基底上；形成图案化的第二材料层于该基底上；以及采用一液体以移除该图案化的第二材料层，其中该液体包括一立体障碍有机碱以及一有机溶剂。本发明能够降低基底/下方膜层的毁损，降低水污染以及改善光致抗蚀剂材料的移除效果。
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