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公开(公告)号：CN112436087B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010656452.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
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公开(公告)号：CN110323331B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201811251089.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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公开(公告)号：CN110660908B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201811357641.7
申请日：2018-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例涉及一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括可编程金属化单元随机存取存储器(PMCRAM)单元。所述可编程金属化单元包括设置在底部电极之上的介电层，所述介电层包含中心区。导电桥能够在介电层内形成以及被消除，且导电桥控制在介电层的中心区内。在介电层之上设置有金属层。在底部电极与介电层之间设置有热散逸层。
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公开(公告)号：CN113113533A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110255835.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490220A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010070339.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属(MIM)电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。
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公开(公告)号：CN110323331A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811251089.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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公开(公告)号：CN113471247B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110665425.4
申请日：2021-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件包括场效应晶体管和可变电容电容器。栅极结构包括栅极电介质和中间电极。该可变电容电容器包括：下电容器板，包括中间电极；上电容器板，包括控制栅极电极；以及可变电容节点电介质，并包括电场可编程金属氧化物材料。该电场可编程金属氧化物材料提供可变有效介电常数，并且数据位可作为可变电容节点电介质的介电状态存储在存储器器件中。该可变电容节点电介质提供其中的金属原子的可逆电场相依电阻率调制或可逆电场相依移动。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。
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