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公开(公告)号：CN221057428U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322432440.1
申请日：2023-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体装置包括第一通道区与第二通道区形成于基板上。第一通道区与第二通道区延伸于第一横向方向中并彼此平行。半导体装置包括介电结构，沿着第二横向方向夹设于第一通道区与第二通道区之间，且第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括第一隔离结构，与第一通道区的下侧部分相邻。半导体装置包括第二隔离结构，与第二通道区的下侧部分相邻。第一隔离结构与第二隔离结构具有高度。介电结构的一部分夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间。第一隔离结构与第二隔离结构各自的上侧部分的最大凹陷距离，与高度的第一比例小于约0.1。
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公开(公告)号：CN220914237U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322332855.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体装置，包含第一通道区在第一横向方向上延伸，且包含第一外延结构；第二通道区在第一横向方向上延伸，沿着第二横向方向相邻于第一通道区，且包含第二外延结构；第三通道区在第一横向方向上延伸，沿着第二横向方向相邻于第一通道区，且包含第三外延结构；第一金属栅极结构，在第二横向方向上延伸且贯穿第二通道区；第二金属栅极结构，在第二横向方向上延伸且贯穿第三通道区。介电结构的第一上部具有沿着自介电结构的顶表面朝向基板延伸的垂直方向倾斜且远离彼此的相对侧壁。
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公开(公告)号：CN220731533U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202321399967.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构，提供半导体装置内的隔离。上述结构包括第一隔离结构，包括设置在基底上的第一隔离层、设置在第一隔离层上的第二隔离层以及具有第一高度并设置在第二隔离层上的第一高k值介电层。上述结构也包括第二隔离结构，包括设置在基底上的第三隔离层、设置在第三隔离层上的第四隔离层以及具有第二高度并设置在第四隔离层上的第二高k值介电层，其中第二高度小于第一高度。上述结构还包括设置在第一隔离结构上的栅极结构，以及相邻设置于栅极结构且位于第二隔离结构上的绝缘结构。
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公开(公告)号：CN222424605U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202420083913.3
申请日：2024-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置包括第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管；以及墙鳍状物，位于第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管之间，并位于隔离绝缘层上。墙鳍状物包括第一介电层、第二介电层位于第一介电层上、以及第三介电层；第一介电层、第二介电层、与第三介电层的材料彼此不同；以及第三介电层包括凹陷。
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公开(公告)号：CN222146232U
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202420917592.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁与基板。
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公开(公告)号：CN221861663U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202420095830.6
申请日：2024-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林子敬
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本实用新型提供半导体装置包括：第一与第二鳍状物基底，位于基板上；第一与第二纳米结构层，分别位于第一与第二鳍状物基底上；第一与第二栅极结构，分别围绕第一与第二纳米结构层；第一与第二浅沟槽隔离区，位于第一与第二鳍状物基底的两侧上；第一与第二第一隔离结构，分别位于第一与第二浅沟槽隔离区上；以及第二隔离结构，其包括第一隔离部分，位于第一与第二栅极结构之间；第二隔离部分，位于第一与第二第一隔离结构之间并与其接触；第三隔离部分，位于第一与第二浅沟槽隔离区之间并与其接触；以及第四隔离部分，位于基板中。
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公开(公告)号：CN221573942U
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202323225723.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置包含一基板、两个隔离介电区及一虚设栅极区。两个隔离介电区在基板之上。一虚设栅极区位于两个隔离介电区之间。虚设栅极区包括一沟槽对、一浅沟槽隔离层及一介电层。沟槽对在基板中。浅沟槽隔离层在沟槽对之间。介电层位于沟槽对、浅沟槽隔离层之下的一空间及沟槽对之上的一栅极空间。
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公开(公告)号：CN220856585U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322473998.4
申请日：2023-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种多栅极装置包括多个栅极结构在一半导体基板上方，其中所述多个栅极结构包含一长通道栅极结构及一短通道栅极结构。该长通道栅极结构具有一第一深度的一深沟槽，且该短通道栅极结构具有小于该第一深度的一第二深度的一浅沟槽。
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公开(公告)号：CN220731538U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202321601870.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括沿第一横向延伸的第一通道区且包括第一外延结构；沿第二横向延伸的介电结构且设置在该第一外延结构旁；介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一半导体区段；以及介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一介电区段，第一介电区段与第一半导体区段交替排列，介电结构在第一横向上具有与第一侧壁相对的第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁之间距离的最大变化百分比小于约50％。
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