-
公开(公告)号：CN106252505B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201510800379.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底电极侧壁和顶电极侧壁向回凹进。本发明的实施例还涉及RRAM器件和方法。
-
公开(公告)号：CN106252505A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510800379.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底电极侧壁和顶电极侧壁向回凹进。本发明的实施例还涉及RRAM器件和方法。
-
公开(公告)号：CN104425715A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410322995.3
申请日：2014-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种存储结构，该存储结构包括位于导电结构上方的具有第一顶面的第一介电层。第一介电层中的第一开口暴露导电结构的区域并且具有内侧壁表面。具有第一部分和第二部分的第一电极结构位于导电结构的暴露区域上方。第二部分沿内侧壁结构向上延伸。可变电阻层设置在第一电极上方。具有第三部分和第四部分的第二电极结构位于可变电阻层上方。第三部分具有位于第一介电层的第一顶面下方的第二顶面。第四部分沿可变电阻层向上延伸。第二开口由第二电极结构限定。第二介电层的至少一部分设置在第二开口中。本发明涉及可变电阻存储器结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN104425507A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410283687.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/76805 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L29/34 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/7831 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了闪存结构及其形成方法。提供了半导体器件结构的机制的实施例。该半导体器件结构包括衬底和设置在衬底上方的字线单元。半导体器件进一步包括设置在衬底上方并且紧邻字线单元的存储栅极和位于存储栅极的侧壁上的间隔件。间隔件和字线单元位于存储栅极的相对侧。此外，存储栅极的顶面和存储栅极的侧壁之间的夹角在约75°至约90°的范围内。
-
公开(公告)号：CN117202768A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310908342.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了相变器件结构及其形成方法。根据本公开的相变器件结构包括设置在蚀刻停止层(ESL)上方的第一电极和第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的第一介电层；设置在第一电极、第一介电层以及第二电极上方的相变材料层；设置在相变材料层上方的绝缘层；设置在绝缘层上方的金属部件以及设置在绝缘层、第一电极、第二电极以及金属部件上方的第二介电层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116249438A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310129898.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的一种相变化记忆体装置、相变化记忆体结构和其制造方法，相变化记忆体装置包括形成在互连层上方的第一电极、形成在第一电极上方的相变化记忆体元件、形成在相变化记忆体元件上方的第二电极，及形成在相变化记忆体元件的侧壁上的无氧间隔物层。相变化记忆体元件可包括锗锑碲合金或铝锑合金。相变化记忆体装置可包括形成在第一电极和相变化记忆体元件之间且配置为加热元件的碳层。无氧间隔物层可包括SiN、SiC或SiCN且可进一步包括氯、氟、氩、氯与氩、氟与氩或氯、氟、氩的混合。无氧间隔物层可进一步包括随着无氧间隔物层内的位置变化的成分。
-
公开(公告)号：CN105977378B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510582125.4
申请日：2015-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件以及相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有被下部ILD层围绕的下部金属互连层和设置在下部金属互连层上方的底部电极。底部电极具有被底部介电层围绕的下部和比下部宽的上部。底部介电层设置在下部金属互连层和下部ILD层上方。集成电路器件还包括具有位于底部电极上的可变电阻的RRAM介电层和位于RRAM介电层上方的顶部电极。集成电路器件还包括位于底部介电层上方的顶部介电层，顶部介电层与底部电极的上部、RRAM介电层和顶部电极的侧壁均邻接。
-
公开(公告)号：CN104425507B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410283687.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1157 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/76805 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L29/34 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/7831 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了闪存结构及其形成方法。提供了半导体器件结构的机制的实施例。该半导体器件结构包括衬底和设置在衬底上方的字线单元。半导体器件进一步包括设置在衬底上方并且紧邻字线单元的存储栅极和位于存储栅极的侧壁上的间隔件。间隔件和字线单元位于存储栅极的相对侧。此外，存储栅极的顶面和存储栅极的侧壁之间的夹角在约75°至约90°的范围内。
-
公开(公告)号：CN102956816B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210025536.X
申请日：2012-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该MTJ堆叠件。可以在MTJ层上方形成并且图案化经过图案化的掩模，从而形成限定出顶部电极的开口。利用导电材料填充该开口，从而形成顶部电极。然后，将该顶部电极用作掩模来图案化MTJ层，从而形成MTJ堆叠件。本发明还提供了一种孔洞在先的硬掩模限定。
-
公开(公告)号：CN104347631A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310471353.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L45/00 , H01L21/76
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W1并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极上并具有与第一宽度W1基本相同的宽度的电阻层；具有小于第一宽度W1的第二宽度W2并形成于电阻层上的覆盖层；形成于覆盖层上并具有与第二宽度W2基本相同的宽度的第二电极；在第一宽度W1与第二宽度W2之间形成于电阻层上并具有至少两个不同的介电层的第一组合间隔区；以及连接到第二电极的通孔。本发明还公开了使用组合间隔件的RPAM结构和工艺。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.032 seconds)
