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公开(公告)号：CN105355768B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912084.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency‑Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105374908B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510649507.4
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片制作工艺，在衬底上依次生成非故意掺杂层、第一n型导电层、第一电流阻挡层、第一n型接触层、第二电流阻挡层、第二n型接触层、第三电流阻挡层、第二n型导电层、有源区、限制层、p型导电层和p型接触层；在p型接触层上掩模、光刻、ICP蚀刻至n型导电层；在裸露的第二n型导电层上掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第三电流阻挡层，裸露第二n型接触层的表面；在裸露的第二n型接触层表面再掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第二电流阻挡层，裸露第一n型接触层的表面；掩模、光刻p型接触层，在裸露的p型接触层上蒸镀ITO导电层；制作p电极和n电极。本发明可以提高电流扩展效果，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105161590B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510627550.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN，在所述限制层P‑AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106098893A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610461104.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。
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公开(公告)号：CN106098885A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610557382.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二级管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633243A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610145435.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管及其生产方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过铺设金属纳米线层，在电流扩展层表面形成阻挡面积小且稳定的网格状P电极，制作工艺简单、合理。本发明通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
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公开(公告)号：CN105552191A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN106098678B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610425669.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。本发明可以减少封装体积和使用的封装面积，提高白光的演色性，且混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105932034B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610458487.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106098885B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610557382.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二极管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
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