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公开(公告)号：CN114284201A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111626631.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。
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公开(公告)号：CN114078990A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111607942.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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公开(公告)号：CN216354260U
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202122930127.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN218351493U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202220719631.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本实用新型提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN216054758U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202122711893.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种发光二极管的外延结构及LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218215344U
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202220608754.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种外延结构、LED芯片，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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公开(公告)号：CN216624313U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202123222776.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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公开(公告)号：CN216624228U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202220133938.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本实用新型提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本实用新型设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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公开(公告)号：CN215815916U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202122274974.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种多波长LED芯片，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠结构包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第一方向依次层叠的P型半导体层、有源层和N型半导体层；相邻两个发光结构通过覆盖层相互绝缘；金属连接层，其层叠于相邻两个发光结构所形成的台阶表面，用于串联对应的相邻两个发光结构，可优化晶体质量，提高多波长LED芯片发光效率。
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公开(公告)号：CN220934110U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322271918.7
申请日：2023-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种LED芯片，该LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
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