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公开(公告)号：CN102280548A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110260363.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明涉及发光二极管领域。发光二极管结构是：衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上。其中，所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成，每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。制造如上述发光二极管结构的方法，包括步骤：A，构建一衬底；B，在衬底上表面形成反射层；C，在反射层上分别外延出N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层；D，在衬底底面和外延层的上表面分别形成第一电极和第二电极；E，进行切割。
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公开(公告)号：CN118213445A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410352678.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过将所述发光结构和所述第一临时衬底进行键合，使感应材料包覆各所述LED芯粒；而后去除所述生长衬底，将表面设有感应材料的第二临时衬底沿所述第一临时衬底靠近所述LED芯粒的一侧进行对位贴合；接着，将所述第一临时衬底进行解键合去除后，通过撕膜工艺去除感应材料使各所述LED芯粒的表面裸露，如此实现了芯片的翻转，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆转移到显示面板。
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公开(公告)号：CN116741906A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310520108.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
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公开(公告)号：CN112201650B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011094769.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。
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公开(公告)号：CN115513194A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211182769.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片及其制作方法，其中集成式RGBMini‑LED芯片包括：在同一水平面上，呈阵列分布的RGB发光单元，阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成，相邻RGB发光单元之间互相绝缘，且其中一种同性电极相邻，使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点，既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良；又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极，减少三次打线工艺，有效减少工艺流程及成本；还可有效减小单个电极的面积，增加发光面积，避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡，进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768579A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110177793.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；进一步地，沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；可在有源区的边缘储存一定的空穴，从而有利于后续空穴往有源区的迁移，从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。
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公开(公告)号：CN112768578A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110176774.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于对所述势垒层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强对势垒层的电子限制，从而提高其内量子效率。
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公开(公告)号：CN110164817B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910428995.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN109994583B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910316241.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大功率紫外发光二极管及其制作方法，首先，通过若干N型通孔的设置，实现导电层与第一导电型半导体层形成电连接，进而有效地提高紫外发光二极管的电流扩展能力；其次，通过在所述透明导电层上设有若干呈均匀分布的扩展通孔，使所述透明导电层、金属反射镜与第二导电型半导体层形成欧姆接触；同时，各所述N型通孔与扩展通孔沿透明导电层的垂直方向错位设置；能在保障电流扩展效果的同时，有效减少N型通孔的数量，避免因N型通孔较多而导致有源层面积损耗。
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公开(公告)号：CN110783436A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911085646.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
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