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公开(公告)号：CN102593274A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号：CN102208508A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010140053.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/24
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。其制造方法是：在一基板上生长外延层；在欧姆接触层上蒸镀形成第一电极层；用蚀刻液去蚀刻欧姆接触层，用晶向蚀刻液去腐蚀晶向蚀刻层；减薄基板，并用热蒸发的方式在基板的表面形成第二电极。本发明通过化学溶液腐蚀带有晶向蚀刻的n型层，在发光表面形成规则的光学几何形状，大大降低了全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率，试验证明亮度可提高80％。
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公开(公告)号：CN102208506A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010140070.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。
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公开(公告)号：CN104241205A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410477241.5
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本发明还公开一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构。本发明可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN104218108A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410477195.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0304 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本发明转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104178172A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410408330.4
申请日：2014-08-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液，由以下A、B、C、D、E五种组分组成：A组分为固体柠檬酸；B组分为双氧水；C组分为胺类化合物；D组分为氨基酸类化合物；E组分为去离子水；上述组分的加入量按质量计算为：A组分为5～150份，B组分为10～100份，C组分为1～20份，D组分为1～20份，E组分为100份；优选所述A组分纯度大于99.8%，所述B组分的质量浓度为30%；本发明还公开上述腐蚀液的制备方法；本发明能够较好控制腐蚀液的腐蚀速率，增强腐蚀的均匀性，彻底去除残留物，以获得侧面台阶平整的电池栅线结构。
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公开(公告)号：CN102208472A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN101397693B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810072030.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长一层AlN缓冲层，然后继续利用MOCVD技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳CCl4。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。
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公开(公告)号：CN204720452U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520158094.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本实用新型将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN204243043U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420699609.8
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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