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公开(公告)号：CN105932122B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610426653.5
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种LED，在衬底上生长外延层，在外延层上制作可变电阻率的透明导电层，在透明导电层上制作P电极，而在外延层上制作N电极；透明导电层由导电高分子复合材料构成，导电高分子复合材料由高分子基体材料和导电填料按体积比为1:0.01‑1:1组成，高分子基体材料为环氧树脂、硅氧树脂、聚乙烯、偏二氟乙烯中的一种，导电填料为炭黑、石墨烯、碳纳米管、金属颗粒、金属纤维、金属氧化物颗粒中的一种或几种。本发明还公开所述LED制造方法。本发明可以解决LED芯片在恒压驱动模式下所对应的驱动电流随温度的上升而急剧升高的问题。
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公开(公告)号：CN105932137B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
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公开(公告)号：CN107799635A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711027110.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片电极结构及其制造方法，该LED芯片电极包括：外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电流阻挡层的面积。相较传统结构，本设计方案电流阻挡层面积小于电极面积，避免了低折射率电流阻挡层夹在高折射率的氮化镓与透明导电层之间而影响光出射效率，能够提升芯片外量子效率。同时由于电流阻挡层图形与电极图形相近，可以使用多层沉积的方式实现电极与电流阻挡层同一道光刻制作图形，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN107768496A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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公开(公告)号：CN107331741A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710595928.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/10
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684219A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710053641.7
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/005 , H01L33/04 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其加工方法，该LED芯片结构包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层，所述第一半导体层上逐层设有透明导电层、反射绝缘层和第一电流扩展反射层，所述反射绝缘层上分布有多个第一通孔，所述第一电流扩展反射层具有伸入至所述第一通孔内的第一导电柱结构、与所述透明导电层导电接触。本发明提供的LED芯片结构，其电流扩散效果较好。
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公开(公告)号：CN106449924A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N-GaN，在N-GaN上形成有源层，在有源层上形成P-GaN，依次部分蚀刻P-GaN和有源层直至裸露部分N-GaN；在P-GaN上形成金属反射层，在裸露部分N-GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开一种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离，出光面无电极挡光，取光效率高，热量由导热金属层导出，增加芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN106098678A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610425669.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。本发明可以减少封装体积和使用的封装面积，提高白光的演色性，且混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105655458A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成，N-GaN形成在衬底上；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN105590943A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610103085.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2933/0033
Abstract: 一种高压LED及其制作工艺，涉及LED的制造技术领域。在半制品表面蒸镀DBR层，再通过刻蚀，保留每个元胞的量子阱层侧壁和N-GaN层表面的DBR层，以及在元胞的第二电极区域和相邻的另一元胞的第一电极区域之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面的DBR层；形成的产品特点：在各元胞的量子阱层侧壁、N-GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面设置DBR绝缘层。可减少光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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