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公开(公告)号：CN107910419B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711103855.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶，使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触，从而可以通过后续形成的透明导电层实现相邻台阶上的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层的电连接，通过上述方式实现的至少两个外延结构的自串联可以无需通过搭建桥接电极的方式实现，避免了桥接电极可能会出现的断裂风险，并且简化了具有多个外延结构串联的发光二极管的制备难度。
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公开(公告)号：CN109087975A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810884390.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。
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公开(公告)号：CN107983665A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711144177.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种异常LED芯粒的挑除方法及挑除系统，其中，所述异常LED芯粒的挑除方法利用UV失粘膜的紫外曝光后失去粘性的特点实现对异常LED芯粒的挑除，并且无需额外开设机台，对原有的光电性能测试设备进行改进即可，无需使用红墨水对异常LED芯粒进行标记，不存在出现误标记正常LED芯粒的情况，并且相较于使用分选机对异常LED芯粒进行挑除的方法，具有挑除效率高，挑除成本低，且具有适用于各类尺寸和形状的LED芯粒的特点，适用性较好。
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公开(公告)号：CN107910419A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711103855.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/387
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶，使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触，从而可以通过后续形成的透明导电层实现相邻台阶上的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层的电连接，通过上述方式实现的至少两个外延结构的自串联可以无需通过搭建桥接电极的方式实现，避免了桥接电极可能会出现的断裂风险，并且简化了具有多个外延结构串联的发光二极管的制备难度。
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公开(公告)号：CN112951961B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110172071.X
申请日：2021-02-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述电子阻挡层为稀磁材料的电子阻挡层。该稀磁材料的电子阻挡层能够在阻挡电子的同时，对空穴的注入也起到正向的作用，提高电子和空穴的空间波函数交叠，进而提高深紫外LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112467007A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011552914.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN110931620A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911366387.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN107275446B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710613467.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN110137201A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910441110.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。
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公开(公告)号：CN108231961B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810088382.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成Al2O3层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。
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