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公开(公告)号：CN112951961B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110172071.X
申请日：2021-02-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述电子阻挡层为稀磁材料的电子阻挡层。该稀磁材料的电子阻挡层能够在阻挡电子的同时，对空穴的注入也起到正向的作用，提高电子和空穴的空间波函数交叠，进而提高深紫外LED的发光效率。
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