-
公开(公告)号：CN113299551A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
-
公开(公告)号：CN108767085B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810390374.7
申请日：2018-04-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种白光LED封装结构及封装方法，包括：蓝光LED芯片；用于固定蓝光LED芯片的封装基座，封装基座中包括一底座及设置在底座四周的围挡，蓝光LED芯片固定在底座上；设置在封装基座内、蓝光LED芯片上方的透光载体；设置在透光载体表面的多层色量子点涂层；设置在保护层表面的聚硅氧烷封装层。实现了多色量子点混色形成低色温、视觉效果好且稳定的暖白光LED。
-
公开(公告)号：CN109056070A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810751031.9
申请日：2018-07-10
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶氮化铟的制备方法，包括：非晶衬底表面清洗；将清洗干净的非晶衬底放入等离子体原子层沉积系统中；在真空条件下，含铟化合物和氮等离子在等离子体原子层沉积系统中进行反应，在非晶衬底表面制备多晶氮化铟。其在密闭的等离子体原子层沉积系统中，通过调节等离子体功率、反应温度、反应时间等参数制备氮化铟薄膜，制备的过程中，反应所需要的温度较低，原料来源广泛，操作简单。
-
公开(公告)号：CN108548105A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810390375.1
申请日：2018-04-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种黄光LED封装结构及封装方法，其中，该黄光LED封装结构中包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层，得到高稳定性的半峰宽窄黄光钙钛矿型量子点LED。
-
公开(公告)号：CN107723680A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710747970.1
申请日：2017-08-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法，包含以下步骤：镁合金除氢、PE-ALD工作腔准备、多级纳米涂层的制备、PE-ALD工作腔还原。多级纳米涂层由单级纳米涂层单次或多次叠加构成，叠加次数N即为级数；其单级纳米涂层为TiNx(X=0.5~2.0）/TiO2。本发明所制备的涂层具有在任意形状表面（二维或三维）形成化学计量比精确、覆盖性好、厚度精准涂层，涂层的耐蚀性可调控，涂层材料对人体无毒、无害，除用于镁及镁合金耐蚀性调控外，还可以用于其它骨植入物活泼金属材料表面耐蚀性调控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102534806A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110441637.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN1801500A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510110566.0
申请日：2005-11-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L33/0087 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(ZnxMgyCd1－x－yO，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)。本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。
-
公开(公告)号：CN1794477A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030874.2
申请日：2005-10-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面，所述的N型欧姆电极包括至少包含由金、锗、镍三种金属成分构成的金锗镍接触层。该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
-
公开(公告)号：CN1770484A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030319.X
申请日：2005-09-30
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L21/02642 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形成一层镁掩模层或金属过渡层，然后再形成一层金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝氮半导体层；先在硅衬底上形成一层金属过渡层，然后再分别依次向上形成一层第一铟镓铝氮半导体层、镁掩模层和第二铟镓铝氮半导体层。本发明可以减少硅衬底上生长的铟镓铝氮材料的位错密度，提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN1734799A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510027808.X
申请日：2005-07-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生长于钛过渡层上。本发明通过使用金属钛作为过渡层，可以防止硅衬底氮化形成不利于铟镓铝氮材料生长的氮化硅和金属镓的回熔，生长出高质量的铟镓铝氮材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
153
records
(took 0.023 seconds)
