公开(公告)号：CN102534806A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110441637.0

申请日：2011-12-26

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  王仲平 ,  欧阳洪萍 ,  宋新 ,  刘小青

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/16

Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。

公开(公告)号：CN102219216A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110075576.0

申请日：2011-03-29

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  刘小青 ,  张学富 ,  欧阳洪萍 ,  陈烽 ,  孔惠慧

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。

公开(公告)号：CN102534806B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110441637.0

申请日：2011-12-26

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  王仲平 ,  欧阳洪萍 ,  宋新 ,  刘小青

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/16

Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。