公开(公告)号：CN102432002A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110295475.4

申请日：2011-09-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  张学富

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明描述了一种具有规则几何形状的石墨烯基复合管及其制备这种具有规则几何形状的石墨烯基复合管的工艺技术。该发明首次制备出具有规则几何形状并且由石墨烯单晶组成的具有亚微米级别的新型碳结构。该种新型碳结构由于具有比石墨烯大的比表面积，且有石墨烯单晶组成，在催化领域，锂离子电池的电极材料，生化探测器，储氢材料，光电子器件等领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN102219216A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110075576.0

申请日：2011-03-29

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  刘小青 ,  张学富 ,  欧阳洪萍 ,  陈烽 ,  孔惠慧

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。

公开(公告)号：CN102181843A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110096788.7

申请日：2011-04-18

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  杜鑫利 ,  张学富

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明描述了一种多晶石墨烯薄膜、制备多晶石墨烯薄膜的工艺以及基于多晶石墨烯薄膜的透明电极和电子器件的方法。该发明弥补了透明氧化物易脆及柔性导电聚合物薄膜导电性差的不足，有望成为一种新型柔性透明导电薄膜，并在有机电致发光显示、有机电存储、有机太阳能电池等光电功能器件中有着潜在应用。

公开(公告)号：CN102173412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110009340.7

申请日：2011-01-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  杜鑫利 ,  张学富 ,  武煜宇

IPC: C01B31/04

Abstract: 一种利用聚甲基丙烯酸甲酯转移石墨烯的方法，方法步骤为：在模具中倒入聚甲基丙烯酸甲酯溶液，然后将其水平放置，待到溶剂甲苯挥发后形成聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，然后通过夹子依次叠加玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、铜片、石墨烯、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜和玻璃片，叠加后送入120℃的烘箱中烘烤2个小时，然后去除上下的玻璃片和聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。本发明的技术效果是：1、在制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜过程中，不使用甩胶机等机械手段的辅助，节能环保，而且模具可以重复使用节省成本；2、由于聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的尺寸可以不受到限制，从而使得石墨烯薄膜的转移尺寸也不受到限制。

公开(公告)号：CN102154709A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030510.X

申请日：2011-01-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  张学富 ,  欧阳洪萍 ,  陈烽 ,  孔惠慧 ,  陈秀

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/06

Abstract: 一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的制备。本发明的技术效果是：1、在制备硅(100)-2x1重构表面时，采用阶梯式的升温清洁的方法，避免了升温过快导致的样品断裂的问题；2、利用高温促使吸附在硅表面的银原子脱吸附过程，极大地降低了硅(100)-2x1重构表面的缺陷。