公开(公告)号：CN102219216A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110075576.0

申请日：2011-03-29

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  刘小青 ,  张学富 ,  欧阳洪萍 ,  陈烽 ,  孔惠慧

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。

公开(公告)号：CN102154709A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030510.X

申请日：2011-01-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王立 ,  张学富 ,  欧阳洪萍 ,  陈烽 ,  孔惠慧 ,  陈秀

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/06

Abstract: 一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的制备。本发明的技术效果是：1、在制备硅(100)-2x1重构表面时，采用阶梯式的升温清洁的方法，避免了升温过快导致的样品断裂的问题；2、利用高温促使吸附在硅表面的银原子脱吸附过程，极大地降低了硅(100)-2x1重构表面的缺陷。