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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299551A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN102534806A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110441637.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113299551B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN105208497A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510483373.3
申请日：2015-08-10
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种基于摩擦发电的声电转换器件，包括腔体和摩擦电器件，其特征是所述腔体由大腔体和小腔体连接而成，横向导通，两端分别由超薄有机弹性薄膜和摩擦电器件密封，摩擦电器件的负极是镀有金属膜的多孔板，摩擦电器件正极是一面镀有金属导电膜的PTFE薄膜，PTFE薄膜位于镀有金属膜的多孔板与金属导电膜之间。本发明采用了腔体提高了摩擦电器件对声音信号的响应能力，更好的将声波信号转化为电信号。
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公开(公告)号：CN102534806B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110441637.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。
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