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公开(公告)号：CN114665020A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210299035.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。
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公开(公告)号：CN116322071B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202310214218.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。
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公开(公告)号：CN118102742A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227384.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K30/86 , H10K30/85 , H10K30/60 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K39/30 , H10K39/00
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。
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公开(公告)号：CN116113291A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310275738.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。
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公开(公告)号：CN116096101A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310244089.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K77/10 , H03K19/0944 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115623792A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211633280.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种模拟神经突触有机电化学晶体管、其制备方法以及方向选择电路，利用电解质型栅介质通电构成双电层结构的原理，降低工作电压，该有机电化学晶体管的结构由下往上依次为衬底、电解液型栅介质、有机材料通道、金属顶电极；并且提出一种基于STP/STD的新型神经形态电路来实现方向选择性，通过两种布线方案实现生物神经系统中的短时程增强/抑制（STP/STD）。通过采用加载不同的脉冲电压模式，进行突触仿生功能的模拟，实现类神经突触的学习和记忆功能。
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公开(公告)号：CN114665019B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN116504815B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310762255.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
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公开(公告)号：CN114665019A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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