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公开(公告)号：CN112345119B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011024236.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆温度标定系统，包括高低温探针平台，以及相互电连接的温度采集器与上位机，标定系统还包括矩阵开关与五只半导体温度传感器，五只半导体温度传感器分别焊接在晶圆表面的五个不同区域；晶圆置于高低温探针平台内，五只半导体温度传感器通过矩阵开关与温度采集器相连；高低温探针台对晶圆由低到高、间隔设置施加一组传导温度；在每个传导温度点，五只半导体温度传感器分别将晶圆自身的五个区域温度通过矩阵开关、温度采集器依次传递至上位机；上位机绘制晶圆各区域高低温探针台的设置传导温度与晶圆自身温度的对应关系图；得到晶圆的温度标定数据。
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公开(公告)号：CN115765643A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211341062.X
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种低温漂高精度热流变换电路，其特征在于包括：采用同一基片参数一致的两个运放U1A和U1B，其温漂接近，设置两运放为反向，抵消彼此的失调电压及温漂的影响的方式，先构成一个全差分放大电路，把热流传感器小信号放大；放大的信号然后经另外两个同一基片的运放U2A和U2B构成加法偏置电路，得到偏置可调的低温漂低失调的高精度电压信号V0。本发明的有益效果是，降低输出失调电压，进而减小输入失调电压及温漂对热流采集精度的影响，提高热流采样精度。
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公开(公告)号：CN114188288A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111479919.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所 , 辽宁省轻工科学研究院有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/045 , H01L23/06 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种高温合金管壳及其封装方法，它包括由合金管座1、玻璃绝缘子2、通心管3以及Pt丝电极4构成的高温合金管壳。在合金管座1上放置模具，所述模具包括石墨下模8、石墨底托9、石墨上模7和罩壳13，而后整体放入真空炉中进行加热、保温，然后随炉冷却至室温即可取出而后拆除模具。本发明结构简单、使用方便，节省现有技术中玻璃粉的选择、试验、确定时间，提高效率，所得产品尺寸精度、位置度精度较好，达到产品预期效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110687423B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout‑Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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公开(公告)号：CN105372574A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510664513.7
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统，包括ASL1000测试平台，ASL1000测试平台的输出接口连接有测试夹具与探针卡，探针卡上设有分压电路、继电器以及与待测晶圆相配合的探针，所述测试夹具与探针配合连接；ASL1000测试平台向测试夹具输出电源信号与控制信号，并通过探针分别施加在待测晶圆的电源输入端与控制输入端，ASL1000测试平台向分压电路输出测试信号，并控制继电器的通断；分压电路将接收的测试信号分压处理为毫伏级信号，毫伏级信号依次通过继电器的触点与探针施加在待测晶圆的信号输入端；测试信号经由线路传输，毫伏级信号施加在晶圆上进行测试，实现大信号传输、小信号测试的目的，能够避免对晶圆测试时毫伏级信号的衰减，结构简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN105259372A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510664521.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器；微处理器控制数模转换器与继电器，向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压，产生静电力，模拟外界加速度，所述四个电容数字转换器由微处理器控制，并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值，再由微处理器计算得出电容变化量，实现参数测试的目的，并判断出电容式加速度计的品质。
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公开(公告)号：CN102393484A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110253260.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种电子线路电流稳定性检测装置，MCU根据采集数据单元ADC控制数模转换器DAC输出一阈值基准电压Vref，要求Vref等于V0。Vref和被差分放大器输出的取样电阻两端的实时压差V1经差分放大器放大后通过ADC数据采集单元送入主控单元MCU。此时电流变化量△I可通过本方法得到的公式进行计算，最后通过软件判断单位时间内电流变化量是否满足要求，从而判定整个回路电流的稳定性。本发明优点是：可以有效的排除系统噪声的干扰，精确的检测到电流微小的变化；具体实施的硬件通用性强，可适用于各种直流回路中安培级以下电流稳定性检测，适用范围广。
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公开(公告)号：CN102096036A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010571941.2
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成三极管阵列电路测试装置，集成三极管阵列电路测试装置包括：一个两层分体式结构的测试盒，下层主要分布单片机、AD转换器、继电器、模拟开关、稳压电源、恒流源、运算放大器和转接口；上层主要分布数码管、开关、选择按键、被测电路夹具、发光二极管、蜂鸣器、通用仪表接口，上下层电路通过转接口连接。测试盒是该装置的核心部分，测试盒下层板主要实现数据采集、数据处理、数据判断、接口功能；测试盒上层板主要实现信号输入输出、判断结果显示、参数测试数据显示、判断步骤显示功能。本发明装置能完成全管子、全参数的单步、自动测试，高温、低温和常温测试。
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