公开(公告)号：CN103600287A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310589123.9

申请日：2013-11-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 庄须叶 ,  郭群英 ,  吕东锋 ,  展明浩 ,  黄斌 ,  陈博 ,  陈璞 ,  何凯旋 ,  刘磊 ,  王鹏 ,  王文婧 ,  汪祖民 ,  徐栋

IPC: B24B37/34

CPC classification number: F16L3/16 ,  F16L3/06 ,  H02G3/04

Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。

公开(公告)号：CN103594445A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310588210.2

申请日：2013-11-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 潘结斌 ,  陈计学 ,  展明浩 ,  房立峰 ,  朱小燕 ,  吕东锋

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。

公开(公告)号：CN103558740A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310505575.4

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王文婧 ,  郭群英 ,  吕东锋 ,  徐栋 ,  黄斌 ,  陈璞 ,  陈博 ,  王鹏 ,  何凯旋 ,  刘磊 ,  庄须叶

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。

公开(公告)号：CN103557853A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310505577.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 陈璞 ,  郭群英 ,  黄斌 ,  王鹏 ,  陈博 ,  王文婧 ,  何凯旋 ,  刘磊 ,  徐栋 ,  吕东锋 ,  庄须叶

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/56

Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN102998037A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210340683.6

申请日：2012-09-15

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 汪祖民 ,  展明浩 ,  吕东锋 ,  郭群英 ,  徐栋 ,  黄斌 ,  王鹏 ,  何凯旋

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。

公开(公告)号：CN102915974A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210425955.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  吕东锋 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  简崇玺

IPC: H01L21/8248

Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。