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公开(公告)号：CN119521738A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411532104.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种延伸漏极MOS器件及制造方法、芯片。所述延伸漏极MOS器件包括：衬底、P型阱区、N型深阱区、浅槽隔离区、源区、漏区及栅极，浅槽隔离区包括第一浅槽隔离区、第二浅槽隔离区以及第三浅槽隔离区，第一浅槽隔离区位于栅极与漏区之间，第二浅槽隔离区位于漏区与衬底接口之间，第三浅槽隔离区位于源区与衬底接口之间；N型深阱区位于第一浅槽隔离区及漏区的下方，N型深阱区内设有第二P型阱区，第二P型阱区与第一浅槽隔离区纵向相接。本发明将内部有P型阱区的N型深阱区作为漂移区结构，提升了器件的击穿电压和安全工作区，该器件的制造方法与CMOS工艺完全兼容，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN114268310B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输出端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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公开(公告)号：CN118311306A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410738418.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及晶圆和芯片成品测试技术领域，具体涉及一种保护模块、测试装置、测试设备及测试方法。本公开提供了一种通用的高可靠测试装置，通过在测试装置中添加保护模块，进一步在保护模块中添加限流单元和连接单元，所述限流单元包括限流器件，用于防止电流突增导致所述测试装置和/或所述被测器件损坏；所述连接单元至少包括一预设阻值的电阻，通过该电阻将所述测试机的感测线与所述被测器件连接，以使所述测试机通过所述感测线感测施加到所述被测器件的电压值，利用该电阻通过提高感测线的输入阻抗保证了得到的被测器件电压的准确性，提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117293192A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311589002.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种多沟道半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。多沟道半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内设有至少一个沿横向延伸的隔离区，以在漂移区内限定出至少两条导电沟道；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区设置隔离区形成多条导电沟道，载流子分为多个路径，单条路径下的载流子数目减少，在漏端电场作用下，漏端碰撞电离出的电子空穴对数目减少，热载流子注入效应得到抑制，器件可靠性提升；同时多个导电通道有助于获得更低的导通电阻，隔离区也可以提高器件的耐压能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115881778A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310056870.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115062730B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210944464.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06V10/764 , G01R31/58 , G01R31/54
Abstract: 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。
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公开(公告)号：CN216449667U
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202122636880.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种浪涌测试设备，属于浪涌测试技术领域。所述浪涌测试设备包括：第一脉冲发生电路，用于输出第一测试脉冲；第二脉冲发生电路，用于输出第二测试脉冲；第三脉冲发生电路，用于输出第三测试脉冲；所述第一测试脉冲、所述第二测试脉冲和所述第三测试脉冲分别用于不同波形和峰值电压需求场景下的浪涌测试；所述第一脉冲发生电路、所述第二脉冲发生电路和所述第三脉冲发生电路接入同一个用于脉冲发生电路选通的输出切换模块。本实用新型方案实现了一台设配满足多种标准要求的浪涌测试需求。
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公开(公告)号：CN211425002U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201920870166.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种低温防雾化露化装置，包括外壳、无水分气体管道、无水分气体进气管、无水分气体出气管以及无水分气体气泵。外壳用以包裹需要防护的设备，且外壳的两端分别开设有进气口与出气口；无水分气体管道内嵌于外壳内，且无水分气体管道分别与进气口与出气口连通；无水分气体进气管的一端通过进气口与无水分气体管道连通；无水分气体出气管的一端通过出气口与无水分气体管道连通；无水分气体气泵与无水分气体进气管的另一端连通，且无水分气体气泵用以提供干燥气体；无水分气体气泵将干燥气体通过无水分气体进气管输送至无水分气体管道中。借此，本实用新型的低温防雾化露化装置，结构简单合理，可以有效防止设备表面雾化露化。
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公开(公告)号：CN208888290U
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201920516048.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种具有稳定接触的微探针，包括：主针轴，其具有头部，主针轴的头部用于与芯片焊盘形成接触；以及多个辅助针须，其设置于主针轴的侧部，并且辅助针须靠近主针轴头部，辅助针须与主针轴之间的夹角小于90度。其中辅助针须用于稳固主针轴头部与芯片焊盘的接触位置，主针轴与辅助针须被设置为：当微探针与芯片焊盘接触时，主针轴与芯片焊盘的夹角小于90度，并且辅助针须与芯片焊盘的夹角大于主针轴与芯片焊盘的夹角。当主针轴头部与芯片焊盘接触时，多个辅助针须能够同时与芯片焊盘接触。本实用新型由于辅助针须与芯片焊盘的接触，使得主针轴向前滑动的摩擦力增大，从而起到稳固微探针与芯片焊盘接触的作用。
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