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公开(公告)号：CN119725275A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410739830.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置，涉及半导体制造的技术领域，封装结构包括晶圆、阴极电极、阳极电极、阴极管壳电极以及管壳；所述阴极电极以及所述阳极电极分别位于所述晶圆相对的两侧；其中，所述阳极电极的其中一个表面与所述晶圆的第一主面直接接触，另一表面暴露于所述封装结构的外侧；所述阴极电极的其中一个表面与所述晶圆的第二表面直接接触，另一表面通过弹性结构连接于所述阴极管壳电极。通过本申请可以阳极侧热阻优化效果，提升器件的流通能力。
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公开(公告)号：CN119716290A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410773011.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/00
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路包括：待测装置和一体化电压电流源。一体化电压电流源耦接于待测装置的两端且一端耦接参考地，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生电流应力；其中，所述电压应力和所述电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开简化了电路结构，有利于降低实验平台的建设和运行成本。
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公开(公告)号：CN118914689A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410772861.5
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种换流阀组部件的测试电路以及测试方法，该测试电路包括：至少一个第一电流模块、至少一个第二电流模块、至少一个模块开关和待测装置。其中，第一电流模块与待测装置并联连接，第二电流模块通过对应的模块开关与待测装置并联连接，第一电流模块用于在待测装置上施加电流应力的过程中产生第一电流，第二电流模块用于在待测装置上施加电流应力的过程中产生第二电流，第一电流小于第二电流，第一电流的持续时间大于第二电流的持续时间。上述测试电路通过控制模块开关为待测装置提供小电流平台和大电流平台，不仅可以使待测装置实现与应用工况等效或加速的应力实验，还可以获得待测装置在应用工况等效实验中准确的结温波动数据。
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公开(公告)号：CN118824852A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410900723.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/332 , H01L29/10 , H01L21/266 , H01L21/265 , H01L29/744
Abstract: 本公开涉及一种门极换流晶闸管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述门极换流晶闸管芯片的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；向衬底的上表面进行第一型掺杂形成第一型基区，向衬底的下表面进行第一型掺杂形成第一型阳极区；向第一型基区的上表面进行第一型离子注入，通过调节注入角度和/或注入掩膜版开口大小，形成纵向和横向变掺杂且具有预设掺杂浓度的第一型掺杂基区；向第一型掺杂基区的上表面进行第二型杂质扩散，形成第二型掺杂发射区；于第一型阳极区的下表面进行第一型离子注入，形成第一型掺杂发射区。本公开可以提升器件的关断性能。
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公开(公告)号：CN118748201A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410889910.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 一种功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构中的P基区为JTE结构；所述终端结构为负斜角结构。其中，JTE结构包括多个连续的JTE区，JTE区在表面位置处的掺杂浓度是连续的，在JTE区底部、JTE区与有源区的交界处和JTE区之间的交界处掺杂浓度是非连续的。本发明的终端结构采用JTE和磨角台面复合终端结构，利用JTE结构降低终端区P基区电荷，拓宽边缘耗尽层，降低表面电场强度；同时JTE对体内电场进行调制，降低电场集中，进一步降低表面电场强度，提高击穿电压，减少终端尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118731537A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773389.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路，包括：待测装置和可控电源系统。可控电源系统连接于待测装置的两端，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生可控电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生可控电流应力；其中，可控电压应力和可控电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开利于提升待测装置实验电应力与实际工况电应力的等效性，从而能够有效提高该等效应用工况实验电路的实验可靠性，以及有效降低其运行过程产生的无功功率。
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公开(公告)号：CN118707295A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410832627.7
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法。所述电学测试模块所述电学测试模块包括沿竖直方向由下至上依次叠置的触点阵列层、地线层、至少两个信号线层、信号电源层、驱动电源和贴片元件层；电学测试模块提供如下的电路：触点仅在所述至少两个信号线层中同时有信号发出的情况下开通，以便测量触点与门极探针之间的电压。本发明采用电学扫描取代机械位移扫描的方式完成对芯片上多达上万个梳条的门阴极耐压测试，并且能筛选定位失效阴极梳条，从而提高测试效率、简化结构、降低成本。
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公开(公告)号：CN118676086A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410740015.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/427 , H01L21/60
Abstract: 一种用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件。电极包括电极主体和盖板；电极主体设有间隔开的多个盲孔，盲孔的开口端位于电极主体的上表面，每个盲孔内设有一个毛细微管，并且盲孔内容纳有冷却介质；盖板设置在电极主体的上表面上，以密封地覆盖盲孔。通过用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件，实现提高器件电极的传热效率，降低器件结壳热阻，使得器件工作时芯片结温更低，提升器件额定通流能力的目的。
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公开(公告)号：CN118198018A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410176647.3
申请日：2024-02-08
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 一种功率半导体器件的封装结构、方法及应用，属于半导体封装领域；所述功率半导体器件的封装结构包括：芯片，布置在芯片的第一侧的阴极电极；以及，布置在芯片与第一侧相对的第二侧的阳极电极；所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料。本发明通过分别降低体热阻和接触热阻的方法实现器件整体热阻的大幅降低，提升了器件的电流等级，并且降低了封装工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN118186578A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410175142.5
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用。所述铝选区的制备方法或铝选区扩散方法包括：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区。本发明的实现了对硅单晶表面Al选区扩散的精确控制，可以灵活调整表面Al掺杂浓度，降低了工艺成本，提升了硅基双极功率器件的电学性能稳定性。
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