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公开(公告)号：CN119922964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374466.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119920699A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372594.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其封装工艺方法；该半导体器件的封装工艺方法包括步骤：通过注塑工艺将阴极电极、阳极电极和门极电极预连接于芯片上，以形成将芯片密封包裹的一体化预组装结构；将管壳封装于一体化预组装结构的外周；将管壳的管壳阴极与阴极电极密封电连接，管壳的管壳阳极与阳极电极密封电连接；采用管壳盖板对管壳进行封盖。本申请通过在芯片封装前增加一体成型环节，通过将芯片上的金属电极一体成型连接于芯片，并通过注塑工艺将一体成型后的组装结构进行注胶，以将芯片包裹，从而使得芯片与外部环境隔离，以达到提升芯片测试良率的目的。
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公开(公告)号：CN119881581A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510372702.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供功率器件封装老化监测方法、监测电路、驱动方法及装置，该方法包括：根据第一加热脉冲对待测器件加热，使结温升高至预设最大结温；对待测器件散热，散热时长根据辅助封装膜层与目标封装膜层的热时间常数和确定，待测器件的封装结构包括辅助封装膜层和目标封装膜层，辅助封装膜层位于目标封装膜层与热源之间；获取待测器件第一当前结温；根据第二加热脉冲对待测器件加热，加热时长根据辅助封装膜层的热时间常数和确定，第二加热脉冲根据第一加热脉冲确定；获取待测器件第二当前结温；根据第一当前结温、第二当前结温和第二加热脉冲，确定目标封装膜层的当前热阻；根据当前热阻与预设热阻判断目标封装膜层的老化状态。
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公开(公告)号：CN119881435A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374476.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。
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公开(公告)号：CN119765969A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411695418.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M7/5387 , H02M1/088
Abstract: 本申请涉及一种混合桥臂及其控制方法、半桥电路及电流源型变换器，电流源型变换器的半桥电路包括串联的上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂中，至少有一个桥臂为混合桥臂，混合桥臂包括并联的导通压降优化桥臂和关断电流优化桥臂，导通压降优化桥臂的导通压降小于关断电流优化桥臂的导通压降，关断电流优化桥臂的电流关断能力高于导通压降优化桥臂的电流关断能力。通过并联低导通压降的导通压降优化桥臂和高电流关断能力的关断电流优化桥臂形成混合桥臂，组成电流源型变换器，使得电流源型变换器可以在降低导通压降的同时提高其电流关断能力，实现电流源型变换器运行效率和运行范围的同时优化，提高了电流源型变换器的工作性能约束上限。
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公开(公告)号：CN118610168A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410741465.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请涉及一种管壳组件及半导体封装结构，其中，管壳组件包括具有第一热膨胀系数的第一电极、具有第二热膨胀系数的过渡环结构以及具有第三热膨胀系数的第一法兰环结构，过渡环结构位于第一电极的周侧边缘，第一法兰环结构固定连接于过渡环结构朝向第一电极的一侧表面；第二热膨胀系数介于第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之间。本申请在提高散热能力的基础上降低了管壳组件制造时的热应力失配，提高了管壳密封的可靠性，在确保气密性合格的基础上提高了半导体器件以及半导体封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119575143B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510122662.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。
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公开(公告)号：CN119716290A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410773011.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/00
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路包括：待测装置和一体化电压电流源。一体化电压电流源耦接于待测装置的两端且一端耦接参考地，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生电流应力；其中，所述电压应力和所述电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开简化了电路结构，有利于降低实验平台的建设和运行成本。
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公开(公告)号：CN118914689A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410772861.5
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种换流阀组部件的测试电路以及测试方法，该测试电路包括：至少一个第一电流模块、至少一个第二电流模块、至少一个模块开关和待测装置。其中，第一电流模块与待测装置并联连接，第二电流模块通过对应的模块开关与待测装置并联连接，第一电流模块用于在待测装置上施加电流应力的过程中产生第一电流，第二电流模块用于在待测装置上施加电流应力的过程中产生第二电流，第一电流小于第二电流，第一电流的持续时间大于第二电流的持续时间。上述测试电路通过控制模块开关为待测装置提供小电流平台和大电流平台，不仅可以使待测装置实现与应用工况等效或加速的应力实验，还可以获得待测装置在应用工况等效实验中准确的结温波动数据。
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公开(公告)号：CN118731537A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773389.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路，包括：待测装置和可控电源系统。可控电源系统连接于待测装置的两端，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生可控电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生可控电流应力；其中，可控电压应力和可控电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开利于提升待测装置实验电应力与实际工况电应力的等效性，从而能够有效提高该等效应用工况实验电路的实验可靠性，以及有效降低其运行过程产生的无功功率。
