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公开(公告)号：CN119920773A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374460.9
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其加工方法，其中，功率半导体器件包括：第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构间隔设置，第二电极结构包括电极主体及与电极主体连接的第一连接结构；芯片，设置在第一电极结构和电极主体之间，并与第一电极结构和电极主体均电连接；外壳组件，外壳组件包括管壳以及设置在管壳上的第二连接结构，管壳环绕设置在芯片的外周，管壳与第一电极结构连接，第二连接结构与第一连接结构连接；能量释放通道设置在第一连接结构和第二连接结构之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率半导体器件短路时，释放的能量会对管壳结构造成破坏的概率较高的问题。
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公开(公告)号：CN119920699A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372594.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其封装工艺方法；该半导体器件的封装工艺方法包括步骤：通过注塑工艺将阴极电极、阳极电极和门极电极预连接于芯片上，以形成将芯片密封包裹的一体化预组装结构；将管壳封装于一体化预组装结构的外周；将管壳的管壳阴极与阴极电极密封电连接，管壳的管壳阳极与阳极电极密封电连接；采用管壳盖板对管壳进行封盖。本申请通过在芯片封装前增加一体成型环节，通过将芯片上的金属电极一体成型连接于芯片，并通过注塑工艺将一体成型后的组装结构进行注胶，以将芯片包裹，从而使得芯片与外部环境隔离，以达到提升芯片测试良率的目的。
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公开(公告)号：CN118198117B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN118737967A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410741451.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/12 , H01L23/48 , H01L29/745 , H01B17/56
Abstract: 本公开涉及一种门极绝缘座及其使用方法、门极组件、半导体器件。门极绝缘座包括：绝缘基座及辐条引导装配通道。绝缘基座包括底座以及设置于底座的顶面上的内壁和外壁。辐条引导装配通道包括辐条进入缺口、辐条旋合卡槽和旋转导向槽。辐条进入缺口自底座的底面向上且向外延伸。辐条旋合卡槽自外壁的顶面向下且向外延伸。辐条旋合卡槽和辐条进入缺口沿竖直方向的正投影具有间隔。旋转导向槽连通于辐条进入缺口和辐条旋合卡槽之间。本公开优化了门极绝缘座与门极引出辐条的结构配合，能够简化门极组件的组装流程，并有效提升门极组件的连接稳定性和可靠性，进而提升半导体器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN118522706A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/74 , H01L29/43 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118522706B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D18/01 , H10D64/60
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119725275A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410739830.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置，涉及半导体制造的技术领域，封装结构包括晶圆、阴极电极、阳极电极、阴极管壳电极以及管壳；所述阴极电极以及所述阳极电极分别位于所述晶圆相对的两侧；其中，所述阳极电极的其中一个表面与所述晶圆的第一主面直接接触，另一表面暴露于所述封装结构的外侧；所述阴极电极的其中一个表面与所述晶圆的第二表面直接接触，另一表面通过弹性结构连接于所述阴极管壳电极。通过本申请可以阳极侧热阻优化效果，提升器件的流通能力。
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公开(公告)号：CN118731537A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773389.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种等效应用工况实验电路及其实验方法。所述等效应用工况实验电路，包括：待测装置和可控电源系统。可控电源系统连接于待测装置的两端，被配置为：在待测装置为阻断状态时，于待测装置的两端产生可控电压应力；以及，在待测装置为导通状态时，于待测装置的两端产生可控电流应力；其中，可控电压应力和可控电流应力的波形变化均符合待测装置在实际应用工况中对应电应力的波形变化。本公开利于提升待测装置实验电应力与实际工况电应力的等效性，从而能够有效提高该等效应用工况实验电路的实验可靠性，以及有效降低其运行过程产生的无功功率。
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公开(公告)号：CN118738003A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410772567.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/488 , H01L21/603
Abstract: 本申请涉及一种晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法，该封装结构包括依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；纳米材料膜中包括至少一层过渡层；过渡层的材料为弹性材料。上述封装结构中，通过在纳米材料膜中设置具有弹性形变能力的过渡层，可以通过过渡层吸收晶圆翘曲变形应力，来释放翘曲变形应力，达到可以降低翘曲变形程度的效果，进而进一步降低器件热阻，提高器件长期可靠性，可以促进低温键合技术在整晶圆封装领域的应用。
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公开(公告)号：CN118737943A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410860369.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 一种用于晶圆键合的键合夹具及采用其的键合设备和方法，属于半导体器件技术领域。所述用于晶圆(102)键合的键合夹具(100)包括托盘(1)、限位块(2)、刚性垫块(3)和挡板(4)；通过所述键合夹具(100)实现对晶圆进行径向和竖向的定位。通过本发明的键合夹具(100)、键合设备(101)及使用键合设备(101)进行晶圆键合的方法，实现定位晶圆位置并保护晶圆终端不受压力。
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