公开(公告)号：CN103518263A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022557.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  川岛浩和 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域1：0.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域2：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域3：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。

公开(公告)号：CN103233204A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310165982.5

申请日：2009-06-05

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛浩和 ,  矢野公规 ,  宇都野太 ,  井上一吉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，除氧之外的全部原子的原子数为100原子％时，含有In(铟)24～49原子％，且具有稀土氧化物C型的结晶结构。此外，本发明还涉及溅射靶、氧化物烧结体的制造方法、氧化物薄膜、形成非晶质氧化物薄膜的方法、薄膜晶体管的制造方法以及半导体装置。

公开(公告)号：CN103204674A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310114366.7

申请日：2009-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  川岛浩和 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  笠见雅司 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种烧结体，仅含有氧化铟和氧化铝，在氧化铟结晶中固溶有氧化铝，铟与铝的原子比，即(Al/(Al和In的合计)×100)为0.001％以上且不足45％。

公开(公告)号：CN102132414B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980132615.7

申请日：2009-08-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  C23C14/165 ,  C23F1/20 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 场效应型晶体管，其特征在于，在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、半导体层的保护层、源电极和漏电极，源电极和漏电极借助半导体层连接，栅电极和半导体层之间有栅极绝缘膜，在半导体层的至少一面侧具有保护层，半导体层是含有In原子、Sn原子和Zn原子的氧化物，并且Zn/(In+Sn+Zn)所示的原子组成比率为25原子％以上75原子％以下，Sn/(In+Sn+Zn)所示的原子组成比率小于50原子％。

公开(公告)号：CN101897031B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880120246.5

申请日：2008-12-10

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉 ,  笘井重和 ,  笠见雅司

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少1面侧具有保护层，半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In(铟)元素、Zn(锌)元素及Ga(镓)元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)；In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)；Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。

公开(公告)号：CN102916052A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210417892.6

申请日：2009-09-15

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  宇都野太 ,  笠见雅司 ,  后藤健治 ,  川岛浩和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及具有以氧化铟作为主成分、且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102245533A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150518.0

申请日：2009-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  川岛浩和 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  笠见雅司 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物烧结体，其在氧化铟结晶中固溶有选自铝及钪中的一种以上的金属的氧化物，且铟和选自铝及钪中的一种以上的金属的原子比((一种以上的金属的合计)/(一种以上的金属和In的合计)×100)为0.001％以上且不足45％。

公开(公告)号：CN102245532A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150517.6

申请日：2009-12-03

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/775 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9661 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种复合氧化物烧结体，其含有同系结晶构造的In2Ga2ZnO7，烧结体密度以相对密度计为90％以上，平均结晶粒径为10μm以下。

公开(公告)号：CN102160182A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136173.3

申请日：2009-09-15

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  宇都野太 ,  笠见雅司 ,  后藤健治 ,  川岛浩和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及具有以氧化铟作为主成分、且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102159517A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136121.6

申请日：2009-09-14

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 宇都野太 ,  井上一吉 ,  川岛浩和 ,  笠见雅司 ,  矢野公规 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟；原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12；铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上；具有In2O3的方铁锰矿结构。