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公开(公告)号：CN107735870A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680037656.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN107591463A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710521506.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明公开了一种发光组件，包含窗口层兼支承基板及设置于窗口层兼支承基板上的发光层，发光层依序含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中发光组件具有：经除去至少第一半导体层及活性层的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部而接与第一半导体层的第一奥姆电极、及设置于除去部而接与第二半导体层或窗口层兼支承基板的第二奥姆电极，其中在对应于为窗口层兼支承基板的发光层的相反侧的光提取面处的发光层的区域中，于较对应于发光层的区域更窄的范围设置有凹部，凹部的底面为经粗糙化。
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公开(公告)号：CN101454908A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019441.4
申请日：2007-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L24/05 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III－V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)之一侧，形成与另一侧之贴合面，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。
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公开(公告)号：CN117099184A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024660.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×1014/cm2以上的照射量的电子束照射至所述单晶硅基板的工序。由此，提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其在使氮化物半导体膜形成在单晶硅基板上而获得的氮化物半导体晶圆中，改善了由基板所造成的损失及第2高次谐波的特性。
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公开(公告)号：CN115917766A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042491.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L31/18 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种接合型半导体元件，其为将外延层以及与该外延层为不同材料的支撑基板接合而成，其特征在于，所述外延层以及所述支撑基板中的任一方在接合面具有由以任意点为中心呈放射状扩展的凹部或凸部构成的放射状图案。由此，能提供一种接合型半导体元件，其能抑制温度的上升、下降所致的剥离或损坏的发生。
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公开(公告)号：CN113692651A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN110249435A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009144.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种发光元件，该发光元件包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其中，该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部，还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。由此，提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。
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公开(公告)号：CN107851699B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
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公开(公告)号：CN101454908B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780019441.4
申请日：2007-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L24/05 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。
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